Приложение
для AndroidПолное описание
Колесников, Н. Н. Физико-химические и технологические основы получения кристаллов халькогенидов металлов, содержащих летучие компоненты : автореф. дис. ... д-ра техн. наук: 05.27.06 / Н. Н. Колесников. - 2017. - 50 с. : ил. - Библиогр.: с. 46-50 (75 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592-047.84(043) |
Кл.слова (ненормированные): КРИСТАЛЛЫ -- НАНОМАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар17-5925)
Шифр в сводном ЭК: 1f8bcc9e8f2d3d8061e8dd63645fd52b
Исследование проникновения и захвата магнитного потока в высокотемпературных сверхпроводниках : препринт / М. В. Инденбом, Н. Н. Колесников, М. П. Кулаков, 1990. - 22 с. - Текст : непосредственный.Изомерные отношения в реакциях (,р) при энергиях гигантского дипольного резонанса / Ю. П. Гангрский, П. Зузаан, Н. Н. Колесников, 1998. - 14 с. - Текст : непосредственный.Колесников Н.Н. Физико-химические и технологические основы получения кристаллов халькогенидов металлов, содержащих летучие компоненты : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / Н. Н. Колесников, 2017. - 50 с. - Текст : непосредственный.Сверхтонкое расщепление оптических линий в нечетных изотопах урана / Ю.П.Гангрский,С.Г.Земляной,Н.Н.Колесников и др., 1996. - 10 с. - Текст : непосредственный.Образование высокоспинового изомера 135Cs (I - 19/2) в фотоядерных реакциях / Ю. П. Гангрский [и др.], 2009. - 8 с. - Текст : непосредственный.Изомерные отношения в ядре Хе, осколке фотоделения тяжелых ядер / Ю.П. Гангрский [и др.], 2005. - 7 с. - Текст : непосредственный.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуликов И.Н. Методика повышения эффективности использования кластерного оборудования в полупроводниковом производстве на основе имитационных моделей потоков полуфабрикатов : 05.13.06 - Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (машиностроение): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / И. Н. Куликов, 2019. - 17 с. - Текст : непосредственный.Колесников Н.Н. Физико-химические и технологические основы получения кристаллов халькогенидов металлов, содержащих летучие компоненты : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / Н. Н. Колесников, 2017. - 50 с. - Текст : непосредственный.Беспалов А.В. Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. В. Беспалов, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный.Кичигин В.В. Моделирование и исследование технологии получения мультикристаллического кремния в индукционной печи с холодным тиглем : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.09.10 / В. В. Кичигин, 2011. - 18 с. - Текст : непосредственный.Милахин, Денис Сергеевич. Особенности формирования AlN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 - физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Милахин Денис Сергеевич, 2021. - 32 с. - Текст : непосредственный.Барсуков, Юрий Владимирович. Плазменные процессы роста и травления нитридных материалов : 01.04.08 - физика плазмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Барсуков Юрий Владимирович, 2022. - 24 с. - Текст : непосредственный.Аверченко, Александр Владимирович. Создание 2D-полупроводниковых структур методом прямого лазерного синтеза : специальность: 1.3.8. Физика конденсированного состояния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Аверченко Александр Владимирович, 2024. - 30 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽