Приложение
для AndroidПолное описание
Nojiri, K. Dry Etching Technology for Semiconductors / K. Nojiri. - Cham : Springer, 2015. - on-line. - URL: https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-319-10295-5. - Загл. с экрана. - ISBN 978-3-319-10295-5. - Текст : электронный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.3.049.77-047.84:621.794 | |
| 621.315.592:621.794 |
Кл.слова (ненормированные): ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ПЛАЗМЕННОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ
https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-319-10295-5
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): ???-713518)
Шифр в сводном ЭК: d8811a1019b489c7c0b908adec33bcd1
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Галперин В.А. Исследование и разработка процессов прецизионного травления материалов в технологии производства БИС и СБИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / В. А. Галперин, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Nojiri K. Dry Etching Technology for Semiconductors / K. Nojiri, 2015 r=on-line. - Текст : электронный.Горобчук А.Г. Численное моделирование плазмохимических реакторов травления : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / А. Г. Горобчук, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Высокоскоростное травление нитрида галлия в плазме гексафторида серы, нагреваемой СВЧ-излучением с частотой 24 ГГц в условиях ЭЦР / А. В. Водопьянов [и др.], 2010. - 12 с. - Текст : непосредственный.Сергиенко А.А. Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. А. Сергиенко, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Матасов М.Д. Влияние спектрального состава света и фазового состава полупроводниковой мишени на вторично-ионный фотоэффект : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / М. Д. Матасов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Manenschijn A. Ion bombardment and ion-assisted etching in rf discharges : Diss. / A.Manenschijn, 1991. - 147 p. - Текст : непосредственный.Данилкин Е.В. Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. В. Данилкин, 2008. - 27 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.П. Композиции на основе десорбента "А" в технологии изготовления интегральных схем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 02.00.01 / В. П. Смирнов, 1991. - 27 с. - Текст : непосредственный.Гусев А.В. Реактивное ионно-плазменное травление пленок алюминия для производства микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / А. В. Гусев, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Можаев А.В. Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Можаев, 2010. - 17 с. - Текст : непосредственный.Митрофанов Е.А. Применение масс-спектрометров для исследования процессов реактивного ионно-лучевого травления кремния и пленок диоксида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Е. А. Митрофанов, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный.Резванов А.А. Влияние процесса плазмохимического травления на молекулярную структуру и интегральные свойства диэлектриков с ультранизкой диэлектрической проницаемостью : специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. А. Резванов, 2019. - 24 с. - Текст : непосредственный.Абачев М.К. Исследование формирования глубоких щелей в кремнии при плазмохимическом и реактивном ионном травлении в галогеносодержащих газах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:05.27.01 / М. К. Абачев, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный.Абрамова Е.Н. Механизм образования пор в Si n- и p-типов проводимости при его электрохимическом травлении в растворах фтористоводородной кислоты : 02.00.04 - Физическая химия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук / Е. Н. Абрамова, 2019. - 37 с. - Текст : непосредственный.Капинос С.П. Кинетические закономерности взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы смесей HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 с арсенидом галлия : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / С. П. Капинос, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.Астахова Н.А. Вакуумно-плазменное травление в технологии ИС : Учеб. пособие по курсу "Технология интегральных микросхем" / Н.А.Астахова,Г.И.Глазова, 1990. - 99 с. - Текст : непосредственный.Богданова М.А. Особенности формирования энергетического спектра ионов на поверхности электрода в реакторах плазмохимического травления : специальность 01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. А. Богданова, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный.Пивоваренок С.А. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с медью и алюминием : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.04 / С. А. Пивоваренок, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания