Полное описание
> Анатычук, Л. И. Полупроводники в экстремальных температурных условиях / Л.И.Анатычук,Л.П.Булат. - СПб. : Наука, 2001. - 224 с. : ил. - 1500 экз. - ISBN 5-02-024960-2. - Текст : непосредственный. Библиогр.:с. 209-222 (247 назв.)
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:536
Рубрики: Полупроводники -- Кинетика
Кл.слова (ненормированные): КИНЕТИКА
Доп. точки доступа: Булат, Л.П.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-01/68293)>
Шифр в сводном ЭК: aa4e0b86b3b190b4a4c925a9d108640a
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Анатычук Л.И. Полупроводники в экстремальных температурных условиях / Л.И.Анатычук,Л.П.Булат, 2001. - 224 с. - Текст : непосредственный. Афанасьева Н.А. Электротехника и электроника : учеб. пособие / Н. А. Афанасьева, Л. П. Булат, 2006. - 177 с. - Текст : непосредственный. Термоэлектрическое охлаждение : Текст лекций / Л.П.Булат,М.В.Ведерников,А.П.Вялов и др.;Под общ.ред.Л.П.Булата, 2002. - 146 с. - Текст : непосредственный. Объемный наноструктурированный термоэлектрический материал на основе (Bi, Sb)2 Te3 , полученный методом искрового плазменного спекания (SPS) / В. Т. Бублик, И. А. Драбкин, В. В. Каратаев [и др.]. - Текст : непосредственный // Термоэлектрики и их применения : докл. XIII Межгос. семинара (нояб. 2012 г.). - СПб. - 2013. - с. 23-28 Анизотропия термоэлектрических свойств объемного наноструктурированного материала на основе (Bi, Sb)2 Te3 , полученного методом искрового плазменного спекания (SPS) / И. А. Драбкин, В. Б. Освенский, А. И. Сорокин [и др.]. - Текст : непосредственный // Термоэлектрики и их применения : докл. XIII Межгос. семинара (нояб. 2012 г.). - СПб. - 2013. - с. 29-34 Влияние агрегирования нанопорошков на свойства консолидированных термоэлектрических материалов / Г. И. Пивоваров, В. Д. Бланк, В. Т. Бублик [и др.]. - Текст : непосредственный // Термоэлектрики и их применения : докл. XIII Межгос. семинара (нояб. 2012 г.). - СПб. - 2013. - с. 47-52 Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Арапова И.Ю. Кинетические явления в кристаллах HgSe, содержащих примеси железа со смешанной валентностью : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. Ю. Арапова, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный. Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный. Булярский С.В. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С. В. Булярский, В. И. Фистуль, 1997. - 351 с. - Текст : непосредственный. Воробьев Л.Е. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах / Л. Е. Воробьев, Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, Е. Л. Ивченко ; Ред. В. И. Ильин, 2000. - 157 с. - Текст : непосредственный. Харкунов А.И. Фазовые превращения аморфных полупроводников Zn-Sb и Al-Ge при высоких давлениях : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Харкунов, 2001. - 21 с. - Текст : непосредственный. Транспортные явления в полупроводниках в сильных полях : сборник / Институт физики (Махачкала), 1991. - 122 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Корячко М.В. Фазовые превращения и дефектообразование в кремнии при локальном поверхностном нагреве / М. В. Корячко, 2017. - 19 с. - Текст : непосредственный. Черноусов И.В. Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза / И. В. Черноусов, 2018. - 19 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽