Приложение
для AndroidПолное описание
Венедиктов, М. М. Методы контроля параметров полевых транзисторов, подвергающихся нейтронному воздействию : автореф. дис. ... канд. техн. наук: 05.11.13 / М. М. Венедиктов. - 2018. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-20. - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.33 | 621.382.323:539.16(043) |
Кл.слова (ненормированные): ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ -- НЕЙТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар18-7820)
Шифр в сводном ЭК: 7b976c32bae7324ae4db876cc6ca9164
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов А.В. Зарядовые процессы в МДП-структурах в условиях радиационных воздействий и сильнополевой инжекции электронов / А. В. Романов, 2018. - 17 с. - Текст : непосредственный.Венедиктов М.М. Методы контроля параметров полевых транзисторов, подвергающихся нейтронному воздействию : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.13 / М. М. Венедиктов, 2018. - 20 с. - Текст : непосредственный.Тарасова Е.А. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. А. Тарасова, 2017. - 27 с. - Текст : непосредственный.Зебрев Г.И. Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Г. И. Зебрев, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Оболенский С.В. Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.01 / С. В. Оболенский, 2003. - 39 с. - Текст : непосредственный.Халецкий Р.А. Изменение электрофизических свойств системы кремний-подзатворный окисел МОП-транзисторов с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.05 / Р. А. Халецкий, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Киселева Е.В. Анализ транспорта электронов в гетероструктурах квазибаллистических полевых транзисторов с учетом топологии кластеров радиационных дефектов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. В. Киселева, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Меньшикова Т.Г. Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Т. Г. Меньшикова, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Применко, Александра Викторовна. Комбинированная модель реакции мощного вертикального ДМОП-транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения : 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Применко Александра Викторовна, 2020. - 26 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽