Полное описание
Henninger, R.
ГРНТИ УДК 44.41.35 621.383.51.002(043)
Рубрики: Солнечные батареи -- Производство
Доп. точки доступа: Hahn-Meitner-Institut (Berlin)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/3812/578)
Шифр в сводном ЭК: 5c887f6df34d1bb8d90c5c8f0565f894
Bohne C. Mikrostruktur, Eigenspannungszustand und Korrosionsbestandigkeit des kurzzeitlaserwarmebehandelten hochstickstofflegierten Werkzeugstahls X30CrMoN 15 1 / C. Bohne, 2000. - VII, 127 S. 127 S. - Текст : непосредственный. Gall S. Admittanzspektroskopische Untersuchungen des a-Si:H/c-Si-Heterouberganges im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen / S. Gall, 1997. - II,148 p. p. - Текст : непосредственный. Neutron-scattering instrumentation at the research reactor BER II, 1996. - 50 p. - Текст : непосредственный. Krauser J. Wasserstoff im MOS-System:Bestimmung der Konzentration,Verteilung und Dynamik des Wasserstoffs mit Hilfe der 15N-Methode / J. Krauser, 1996. - 169 S. - Текст : непосредственный. Krappe H.J. Generalizations of Kramers' rate formula : сборник научных трудов / H. J. Krappe. - 21 p. - Текст : непосредственный. Axmann A. Wahl des Moderators fur die Kalte Neutronenquelle des BER II / A. Axmann, K. Gobrecht. - 24 S. - Текст : непосредственный. Kowsky T. Lineare Integralgleichungen 1.Art JbaK(s,t).y(t)dt=f(s) / T. Kowsky, J. Grzanna, 1994. - 29 S. - Текст : непосредственный. Radke R.E.C. Strahlenschadigung in MOS-Varaktoren bei tiefen Temperaturen / R. E.C. Radke, 1993. - 110 S. - Текст : непосредственный. Hoinkis E. The diffusion of Ag in the graphitic matrices A3-3 and A3-27 / E. Hoinkis, 1994. - 60 p. - Текст : непосредственный. HIS(Hydrogen in Solids), 1994. - III,114 S. S. - Текст : непосредственный. Radiologische Auswirkungen eines Flugzeugabsturzes auf den Forschungsreaktor BER II : сборник научных трудов / A. Axmann, R. Bohnert, J. Ehrhardt, I. Hasemann, 1994. - 77 S. - Текст : непосредственный. Das Ionen-Strahl-Labor am HMI / Ionenstrahllaboratorium (Berlin), 1994. - 65 S. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Показать все результаты Jahresbericht.. / Hahn-Meitner-Inst. 1994, 1995. - 227 S. - Текст : непосредственный. Annual report / Hahn-Meitner-Inst. 2004 / Ionenstrahllabor, 2005. - V, 181 p. - Текст : непосредственный. Annual report / Hahn-Meitner-Inst. 2005 / Ionenstrahllabor, 2006. - VI, 153 p. - Текст : непосредственный. Annual report / Hahn-Meitner-Inst. 2004 : Selected results, 2005. - 113 p. - Текст : непосредственный. Annual report.. / Hahn-Meitner-Inst. 2004, Suppl., 2004. - A 161 S. - Текст : непосредственный. Annual report / Hahn-Meitner-Inst. 2005 : Selected results / Ed. H. Geckeis, 2006. - 95 p. - Текст : непосредственный. Berichte / Hahn-Meitner-Inst. B 611 : Die elektronische Struktur des amorph-kristallinen Silizium-Heterostruktur-Kontakts : Diss. / L. Korte, 2006. - II, 170 S. - Текст : непосредственный. Jahresbericht / Hahn-Meitner-Inst. 1989, 1990. - 261 S. - Текст : непосредственный. Jahresbericht / Hahn-Meitner-Inst. 1989, 1990. - 261 S. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Veroffentlichungen / Hahn-Meitner-Institut (Berlin). 1988, 1989. - 101 S. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Annual report / HMI/ISL. 2001 / ed. H. Homeyer, 2002. - XII,150 p. p. - Текст : непосредственный. Henninger R. Elektroreflexion an CuInS2-Solarzellen im Hinblick auf die Optimierung der Prozessparameter bei der Absorber-Herstellung : Diss. / R.Henninger, 2000. - 137 S. - Текст : непосредственный. Annual report / HMI. 2001 : Selected results, 2002. - VI,140 p. p. - Текст : непосредственный. Annual report / HMI. 2001,Suppl., 2002. - 117 117 p. - Текст : непосредственный. Study of ternary and quaternary spontaneous fission of 252Cf with the NESSI detector / V.G.Tishchenko,U.Jahnke,C.-M.Herbach,D.Hilscher, 2002. - 36 p. - Текст : непосредственный. Ergebnisbericht :Forschung und Entwicklung .. / HMI. 1997, 1997. - 242 S. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Veroffentlichungen / Hahn-Meitner-Institut (Berlin). 1989, 1991. - 44 p. - Текст : непосредственный. Jahresbericht / Hahn-Meitner-Inst. 1990, 1991. - 152 S. - Текст : непосредственный. Jahresbericht / Hahn-Meitner-Inst. 1990, 1991. - 254 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Шерченков А.А. Физика и технология полупроводниковых преобразователей энергии : учеб. пособие. Ч. 1, 2006. - 164 с. - Текст : непосредственный. Goetzberger A. Photovoltaic solar energy generation / A. Goetzberger, V. U. Hoffmann, T. Asakura, F. Krausz [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Rein S. Lifetime spectroscopy / S. Rein, 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Wide-gap chalcopyrites / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line Green M.A. Third generation photovoltaics / M. A. Green, 2006 r=on-line. - Текст : электронный. Luque A.L. Concentrator photovoltaics / A. L. Luque, A. Viacheslav, 2007 r=on-line. - Текст : электронный. Жеребцов В.А. Эффективность плазменного фотоэлектронного преобразователя энергии с холодными электродами / В. А. Жеребцов, 2009. - 11 с. - Текст : непосредственный. Zweigart S. Herstellung von Cu(In, Ga)Se2 - Dunnschichten durch sequentielle Prozesse- Untersuchungen zur Reaktionskinetik / S. Zweigart, 2000. - 144 S. - Текст : непосредственный. Halley J.W. Modelling Challenges in solar photovoltaic devices / J. W. Halley, 2001. - 13 p. - Текст : непосредственный. Апенова М.Г. Региоселективная функционализация Cs- и C2-p7-C70(CF3)8: ориентирующее влияние трифторметильных аддендов : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / М. Г. Апенова, 2014. - 26 с. - Текст : непосредственный. Nell M.E.A. Untersuchung der Beryllium-Diffusion fur die Flussigphasenepitaxie von optimierten AlGaAs/GaAs-Solarzellen / M. E.A. Nell, 1992. - 116 S. - Текст : непосредственный. Родоманов Р.Р. Влияние поверхностных состояний на собирание фотогенерированных носителей заряда в структурах с двусторонней чувствительностью : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Р. Р. Родоманов, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный. Guillen Arqueros C. Propiedades estructurales y opticas de laminas delgadas de CuInSe2 electrodepositadas para su aplicacion en celulas solares fotovoltaicas : сборник научных трудов / C. Guillen Arqueros, J. Herrero Rueda, E. Galiano Esteban, 1990. - 38 мкфш. - Текст : непосредственный. Гудовских А.С. Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения / А. С. Гудовских, 2014. - 34 с. - Текст : непосредственный. Gall S. Admittanzspektroskopische Untersuchungen des a-Si:H/c-Si-Heterouberganges im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen / S. Gall, 1997. - II,148 p. p. - Текст : непосредственный. Емельянов В.М. Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных А3В5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения / В. М. Емельянов, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный. Вишникин Е.В. Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем / Е. В. Вишникин, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Proceedings / Ed.:I.Solomon et al. Vol. 1, 1988. - XLVI,1019 p. p. - Текст : непосредственный. Proceedings / Ed.:I.Solomon et al. Vol. 2, 1988. - XXXVI,703(1023-1725) p. p. - Текст : непосредственный. Коновалов А.В. Разработка методов получения фоточувствительных полупроводниковых слоев на основе соединений A2B6 для тандемных солнечных элементов / А. В. Коновалов, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Zweigart S. Herstellung von Cu(In, Ga)Se2 - Dunnschichten durch sequentielle Prozesse- Untersuchungen zur Reaktionskinetik / S. Zweigart, 2000. - 144 S. - Текст : непосредственный. Карлина Л.Б. Кристаллизация в системе InP-In Ga As с участием примесей Mn, Re и разработка приборов на основе данной системы : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. Б. Карлина, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный. Henninger R. Elektroreflexion an CuInS2-Solarzellen im Hinblick auf die Optimierung der Prozessparameter bei der Absorber-Herstellung : Diss. / R.Henninger, 2000. - 137 S. - Текст : непосредственный. Олива Э.В. Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / Э. В. Олива, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный. Попов А.А. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. А. Попов, 1999. - 28 с. - Текст : непосредственный. Siemer K. Schichtwachstum und elektronische Defekteigenschaften von CuInS2-Absorberschichten aus dem sequentiellen Prozess : Diss. / K.Siemer, 2000. - 134 S. - Текст : непосредственный. Курдесов Ф.В. Синтез полупроводниковых пленок CuInSe для тонкопленочных солнечных элементов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Ф. В. Курдесов, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный. Хвостиков В.П. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия А В - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. П. Хвостиков, 2003. - 38 с. - Текст : непосредственный. Намазов А.К. Исследование жидкофазной эпитаксии и диффузии примесей из жидкой и газовой фаз для структур солнечных элементов на основе AlGaAs/GaAs и GaSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. К. Намазов, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный. Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
