Приложение
для AndroidПолное описание
Тростянская, Н. И. Получение активированным электронно-лучевым напылением пленок оксида индия, их электрофизические и оптические свойства : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Н. И. Тростянская. - Одесса, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Одес. электротехн. ин-т связи им.А.С.Попова. Библиогр.:с. 15-16(15 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.33 | 621.315.592-416(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР90-017463)
Шифр в сводном ЭК: e20edd2e7d2caea654fedae4213cacdd
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНикитина Е.А. Рентгенографические исследования структуры аморфных окислов алюминия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Никитина, 1994. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новикова Ю.А. Исследование оптических констант пленок фторидов в средней ИК области спектра и синтез на их основе ахроматических просветляющих покрытий / Ю. А. Новикова, 2015. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Кайдашев Е.М. Создание и исследование элементов новых радиофизических устройств на основе тонких пленок и одномерных наноструктур / Е. М. Кайдашев, 2018. - 48 с. - Текст : непосредственный.Усольцева Д.С. Электронная, атомная структура и фазовый состав композитных пленок Al-Si / Д. С. Усольцева, 2018. - 15 с. - Текст : непосредственный.Тростянская Н.И. Получение активированным электронно-лучевым напылением пленок оксида индия, их электрофизические и оптические свойства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / Н. И. Тростянская, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Исмаилов Д.В. Наноструктурированные слои и тонкие пленки на основе оксида цинка : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.07 / Д. В. Исмаилов, 2018. - 24 с. - Текст : непосредственный.Поройков С.Ю. Взаимосвязь фазового перехода полупроводник-металл и поверхностных явлений в пленках диоксида ванадия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.17 / С. Ю. Поройков, 1993. - 21 с. - Текст : непосредственный.Буряков А.М. Влияние интерфейсных напряжений на свойства наноразмерных мультислойных структур на основе сложных оксидов и полупроводников (и их использование) при создании устройств микро- и наноэлектроники : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. М. Буряков, 2017. - 25 с. - Текст : непосредственный.Томина Е.В. Термическое окисление арсенида галлия и фосфида индия при участии хлоридов и оксохлоридов элементов IV-VI групп : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук:02.00.01 / Е. В. Томина, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Шиляев П.А. Фрактальный анализ поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / П. А. Шиляев, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Галанин С.Г. Фазообразование и термостабильность пленок нитрида вольфрама на арсениде галлия, осаждаемых ионнолучевым распылением : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / С. Г. Галанин, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.Сказочкин А.В. Структура и свойства дефектов с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях фосфида галлия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. В. Сказочкин, 1996. - 16 с. - Текст : непосредственный.Хидиров М.С. Разработка плазмохимических методов получения полупроводниковых карбидных и нитридных пленок и порошков : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 02.00.04 / М. С. Хидиров, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ройзин Я.О. Электронные свойства и дефекты структуры аморфных высокоомных слоев на основе кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Я. О. Ройзин, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный.Хенкин М.В. Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства двухфазных пленок гидрогенизированного кремния : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. В. Хенкин, 2015. - 26 с. - Текст : непосредственный.Велинова Ю.Г. Эллипсометрические исследования тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Ю. Г. Велинова, 1991. - 12 с. - Текст : непосредственный.Wanka H. Ellipsometrie und Rasterkraftmikroskopie :Untersuchung der Nukleation und des Wachstums von Si-Dunnschichten : Diss. / H.Wanka, 1997. - 148 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽