Полное описание
Малимон, И. В.
ГРНТИ УДК 47.33 621.382.2(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР90-012344)
Шифр в сводном ЭК: 244d4959482c5e97c3ab609212008e34
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный. Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный. Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный. Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный. Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный. Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный. Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный. Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный. Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный. Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный. Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный. Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный. Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный. Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Лебедев А.А. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Лебедев, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Малимон И.В. Анизотропия горячей электролюминесценции карбидкремниевых диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / И. В. Малимон, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Кузьмин В.В. Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.10 / В. В. Кузьмин, 2002. - 18 с. - Текст : непосредственный. Сизюк В.А. Исследование плазменных неустойчивостей и переноса заряда в полупроводниковых микроструктурах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук:01.04.04 / В. А. Сизюк, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный. Мередов М.М. Процессы токопереноса, фотоэффект и фотомагнитный эффект в диодных структурах на основе InAs, InP и их тройных твердых растворах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / М. М. Мередов, 1994. - 34 с. - Текст : непосредственный. Цыранов С.Н. Динамика электронно-дырочной плазмы в SOS-диодах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / С. Н. Цыранов, 2002. - 26 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.А. Физические процессы в p-i-n-структурах и методы расчета функциональных характеристик p-i-n-диодов и магнитодиодов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени физ.-мат. наук:01.04.10 / А. А. Абрамов, 1998. - 43 с. - Текст : непосредственный. Скворцов С.И. Нелинейные динамические режимы работы магнитодиодов и магнитотранзисторов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат.наук: 05.27.01 / С. И. Скворцов, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный. Шевлягин А.В. Кристаллическая структура и оптоэлектронные свойства кремниевых диодов со встроенными нанокристаллами полупроводниковой фазы дисилицида железа : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников": автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / А. В. Шевлягин, 2019. - 19 с. - Текст : непосредственный. Eranen S. Studies on the insulated gate bipolar transistors and the wide bandgap semiconductor power diodes : Diss. / S.Eranen, 1992. - 29 p. - Текст : непосредственный. Поляков М.Ю. Импедансные свойства и характеристики варакторных полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.01 / М. Ю. Поляков, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Оразбердыев А.Х. Электрические и фотоэлектрические свойства InP,AlSB МОП диодных структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. Х. Оразбердыев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный. Zutphen T.van avalanche electron emitting diode in gallium arsenide : Diss. / T.van Zutphen, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный. Золотарев Е.С. Шумовые диоды с катодным статическим и движущимися доменами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.03, 01.04.10 / Е. С. Золотарев, 1990. - 21 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
