Полное описание
> Модификация свойств полупроводников облучением легкими ионами : учебное пособие / В. В. Козловский, П. А. Карасев, А. Э. Васильев, А. И. Титов ; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций. - Санкт-Петербург : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2018. - 115 с. : ил. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 110-113 (54 назв.). - 32 экз. - ISBN 978-5-7422-6532-0. - Текст : непосредственный.
На обл.: 120. ПОЛИТЕХ. С.-Петерб. политехн. ун-т Петра Великого
| ГРНТИ | УДК | |
| 29.19.31 | 537.311.322:539.16 |
Рубрики:
Полупроводники -- Влияние ионизирующих излучений
Доп. точки доступа:
Козловский, В.В.
Карасев, П.А.
Васильев, А.Э.
Титов, А.И.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-18/68059)>
Шифр в сводном ЭК: 0d2bd861d75605bf5747b694af98989e
Карасев П.А. Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников", 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Карасев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Радиационная физика полупроводников. Ч. 1 : Радиационные эффекты в полупроводниках при протонном облучении, 2015. - 187 с. - Текст : непосредственный.Титов А.И. Dielectron production in proton-proton and proton-deuteron collisions at 1-5 GeV / А. И. Титов, B. Kampfer, E. L. Bratkovskaya, 1994. - 24 p. - Текст : непосредственный.Проблемы информационной безопасности в международных военно-политических отношениях / Н. П. Ромашкина, В. А. Цывянова, П. А. Карасев [и др.] ; Ред. А. В. Загорский, 2016. - 182 с. - Текст : непосредственный.
Агапьев Б.Д. Практическая обработка результатов эксперимента / Б. Д. Агапьев, В. В. Козловский, К. Б. Агапьев, 2017. - 80 с. - Текст : непосредственный.Титов А.И. Организация деятельности производственного подразделения электроэнергетического профиля : учебник / А. И. Титов, 2019. - 300 с. - Текст : непосредственный.Модификация свойств полупроводников облучением легкими ионами : учебное пособие / В. В. Козловский, П. А. Карасев, А. Э. Васильев, А. И. Титов, 2018. - 115 с. - Текст : непосредственный.Экономика научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ : учеб. пособие : в 3 т. / М. Н. Григорьев [и др.] ; под ред. М. Н. Григорьева, С. А. Уварова ; С.-Петерб. гос. экон. ун-т [и др.]. Т. 3 : Стимулирование, внедрение и оценка результатов НИОКР, 2016. - 125 с. - Текст : непосредственный.Карасев П.А. Ионно-стимулированные процессы в полупроводниках при различной плотности каскадов смещений : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / П. А. Карасев, 2017. - 28 с. - Текст : непосредственный.Физика. Атомная и ядерная физика : учеб. пособие / Б. Д. Агапьев [и др.]. Ч. 1, 2013. - 47 с. - Текст : непосредственный.Физика. Волновая и корпускулярная оптика : Учеб. пособие / А.Э.Васильев,А.Н.Ипатов,В.В.Козловский,В.Н.Петров, 2002. - 51 с. - Текст : непосредственный.Козловский, В. В. Рациональная физика полупроводников : учеб. пособие. Ч. 2 : Радиационное дефектообразование в полупроводниках при электронном и протонном облучении, 2016. - 96 с. - Текст : непосредственный.Экономика научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ : учеб. пособие : в 3 т. / М. Н. Григорьев [и др.] ; под ред. М. Н. Григорьева, С. А. Уварова ; С.-Петерб. гос. экон. ун-т [и др.]. Т. 2 : Финансово-экономические основы НИОКР, 2016. - 122 с. - Текст : непосредственный.Нефедов Е.И. Микрополосковые излучающие и резонансные устройства / Е. И. Нефедов, В. В. Козловский, А. В. Згурский, 1990. - 160 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Планирование финансово-хозяйственной деятельности университета: теоретические аспекты, методические подходы и практика реализации / Е. Б. Виноградова, Н. В. Иванова, И. Н. Томшинская [и др.], 2017. - 126 с. - Текст : непосредственный.Кривцов А.М. Механика дискретных сред. Переходные тепловые процессы в гармонических кристаллах : учебное пособие / А. М. Кривцов, В. А. Кузькин, 2017. - 93 с. - Текст : непосредственный.Ролле В.Е. Конструирование и расчет автомобилей и тракторов. Эскизное проектирование ходовой части автомобиля / В. Е. Ролле, А. Г. Семенов, 2017. - 687 с. - Текст : непосредственный.Материаловедение : учебное пособие / М. А. Жукова, Н. Б. Кириллов, А. П. Петкова, М. В. Яковицкая ; ред. Н. Б. Кириллова, 2017. - 114 с. - Текст : электронный.Тутыгин В.С. Цифровая обработка сигналов : монография / В. С. Тутыгин, 2017. - 164 с. - Текст : непосредственный.Писарев О.А. Фракционирование биологически активных веществ. Аналитические и препаративные методы : учебное пособие / О. А. Писарев, И. В. Полякова, 2017. - 191 с. - Текст : непосредственный.Инженерное обеспечение строительства. Геодезия : учебное пособие / Н. Д. Беляев, А. В. Ковязин, А. А. Кузин [и др.], 2017. - 54 с. - Текст : непосредственный.Глухов В.В. Организационное поведение : учебное пособие / В. В. Глухов, А. А. Яковлев, 2017. - 484 с. - Текст : непосредственный.Биофизические и биохимические методы экспериментальной нейробиологии: современные представления : учебное пособие / Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Ч. 1 / Е. И. Пчицкая [и др.], 2017. - 70 с. - Текст : непосредственный.Андреева В.Д. Рентгенография и электронная микроскопия. Электронная микроскопия материалов : учебное пособие / В. Д. Андреева, И. И. Горшков, 2017. - 142 с. - Текст : непосредственный.Бухарцев В.Н. Водосливная плотина в составе низконапорного транспортно-энергетического гидроузла : учебное пособие / В. Н. Бухарцев, И. Того, И. Е. Фролова, 2017. - 69 с. - Текст : непосредственный.Виноградов Е.Л. Физические основы контактной и бесконтактной печати / Е. Л. Виноградов, В. В. Ваганов, 2017. - 244 с. - Текст : непосредственный.Положинцев Б.И. Теория вероятностей и математическая статистика. Вероятностные модели, основы статистического анализа данных : учебное пособие / Б. И. Положинцев, 2018. - 205 с. - Текст : непосредственный.Радаев А.Е. Имитационное моделирование производственных систем : учебное пособие / А. Е. Радаев, В. В. Кобзев, 2017. - 167 с. - Текст : непосредственный.Худорожков С.И. Теория и системы автоматического управления : учебное пособие / С. И. Худорожков, 2018. - 217 с. - Текст : непосредственный.Паромов В.В. Физические основы прочности и пластичности металлов. Изучение текстур металлических листов методом прямых полюсных фигур : учебное пособие / В. В. Паромов, 2018. - 36 с. - Текст : непосредственный.Ролле В.Е. Теория движения наземных транспортных средств. Расчет плавности хода гусеничных машин / В. Е. Ролле, А. Г. Семенов, 2018. - 151 с. - Текст : непосредственный.Радаев А.Е. Организация производства на предприятиях отрасли. Имитационное моделирование производственных систем. Лабораторный практикум : учебное пособие. Ч. 1, 2018. - 157 с. - Текст : непосредственный.Виноградов Е.Л. Оборудование и технологии печати. Прогрессивные полиграфические технологии : учебное пособие / Е. Л. Виноградов, В. В. Ваганов, 2018. - 94 с. - Текст : непосредственный.Сениченков Ю.Б. Математическое моделирование сложных динамических систем : учебное пособие / Ю. Б. Сениченков, Н. Б. Ампилова, Е. Л. Тимофеев, 2018. - 108 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМедведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Алалыкин А.С. Формирование дефектной структуры и свойства арсенида галлия, облученного ионами аргона низких энергий : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Алалыкин, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Эффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный.Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный.Пешев В.В. Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / В. В. Пешев, 1999. - 37 с. - Текст : непосредственный.Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный.Скаляух О.В. Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Скаляух, 2005. - 24 c. - Текст : непосредственный.Мартинович В.А. ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. А. Мартинович, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный.Штанько В.Ф. Неравновесные процессы в диэлектриках и полупроводниках при импульсном электронном возбуждении : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / В. Ф. Штанько, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Радиационная физика полупроводников. Ч. 1 : Радиационные эффекты в полупроводниках при протонном облучении, 2015. - 187 с. - Текст : непосредственный.Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Коротаев А.Г. Исследование радиационных дефектов в кристаллах H Cd Te ядернофизическими методами : специальность 01.40.10 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Г. Коротаев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный.Павлик Б.В. РадIацIйни процеси в напIвпровIдниках та дIелектриках / Б. В. Павлик, 1990. - 54 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽