Полное описание

Берлин, Е. В. Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения / Е. В. Берлин, В. Ю. Григорьев, Л. А. Сейдман. - Москва : ТЕХНОСФЕРА, 2018. - 461 с. : ил. - URL: https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=597007 (дата обращения: 25.04.2024) . - Режим доступа: Электронно-библиотечная система "Университетска библиотека ONLINE", требуется авторизация. - Библиогр.: с. 438-461 (371 назв.). - 300 экз. - ISBN 978-5-94836-519-0. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.29.33	621.387.143
55.20.15	621.9.04:533.9
	ББК
	22.333

Рубрики:
Плазмотроны
Плазменная обработка материалов

Кл.слова (ненормированные): ВЫСОКОПЛОТНАЯ ПЛАЗМА -- ИНДУКТИВНЫЕ ИСТОЧНИКИ -- ИОННЫЙ ТОК -- ПЛОТНОСТЬ ПЛАЗМЫ -- УЧЕБНИК ДЛЯ ВЫСШЕЙ ШКОЛЫ -- ЭЛЕКТРОД
Аннотация: Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (10¹¹-10¹² см‾³), минимальный разброс ионов по энергиям (Δei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10‾²2÷10‾¹ Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD. За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого — систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников. Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.
Доп. точки доступа:
Григорьев, В.Ю.
Сейдман, Л.А.

https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=597007

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-18/64814)

Шифр в сводном ЭК: e4d04add3b66770cc6e3b7401bb85a53

Заказать
Заказ фрагмента документа ₽

Просмотр издания Электронно-библиотечная система "Университетска библиотека ONLINE", требуется авторизация