• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Воробьев, Ю. В. Исследование механизмов изотермической кристаллизации в тонких аморфных пленках халькогенидного полупроводника Ge2Sb2Te5 / Ю. В. Воробьев. - 2017. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-20. - 100 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    50.11004.33.076.4(043)

    Кл.слова (ненормированные): МАТЕРИАЛЫ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ -- СПОНТАННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- ФАЗОВАЯ ПАМЯТЬ -- ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар18-1117)

    Шифр в сводном ЭК: 4810ce8e729456adbda6600c87181332



    Заказ фрагмента документа ₽