Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыАрапова И.Ю. Кинетические явления в кристаллах HgSe, содержащих примеси железа со смешанной валентностью : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. Ю. Арапова, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный.
Черноусов И.В. Особенности кинетики носителей заряда в кристаллах со структурой алмаза / И. В. Черноусов, 2018. - 19 с. - Текст : непосредственный.Баландина Н.В. Исследование особенностей и расчет теплового сопротивления широкозонных полупроводников и реальных кристаллов с дефектами, и кластерами и фазовыми переходами : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Н. В. Баландина, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Кожанов А.Е. Явления переноса в твердых растворах Pb1-xSnxTe(In) в переменных электрических полях : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.09 / А. Е. Кожанов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Зейналов С.А. Электрофизические и тепловые свойства систем In Teз - Crз Te и In Teз - CuзTe : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. А. Зейналов, 2003. - 21 с. - Текст : непосредственный.Камарли Фаик Махмуд.Кинетические свойства слаболегированных редкоземельными элементами монотеллуридов олова и германия : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.18 / Камарли Фаик Махмуд, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пономарев А.И. Электронные кинетические явления в полупроводниковых и ВТСП соединениях с примесями замещения и собственными дефектами : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. И. Пономарев, 1998. - 42 с. - Текст : непосредственный.Сибатов Р.Т. Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Р. Т. Сибатов, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пономарев С.В. Особенности термического расширения мнокомпонентных халькогенидных соединений со структурой шпинели и халькопирита : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. В. Пономарев, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Малышкин В.Г. Математическое моделирование термодинамических и кинетических неустойчивостей в полупроводниковых твердых растворах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Г. Малышкин, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Чуенков В.А. Теория нелинейных кинетических явлений в полупроводниках со сложной зонной структурой : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. А. Чуенков, 2003. - 40 . - Текст : непосредственный.Макогоненко В.Н. Исследование явлений переноса в твердых растворах Cd Hg Se, Fe Hg Se : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канед.физ-мат.наук:01.04.10 / В. Н. Макогоненко, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽