Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЕвстифеев Е.В. Получение и исследование физических свойств металлических покрытий на диэлектриках : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. В. Евстифеев, 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Токнова В.Ф. Структура и свойства бинарных и многокомпонентных покрытий на основе оксида титана и оксида гафния, формируемых атомно-слоевым осаждением из алкоксидов титана и этилметиламида гафния : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 02.00.21 / В. Ф. Токнова, 2013. - 18 с. - Текст : непосредственный.Шишов М.А. Самоорганизованные слои полианилина для применения в электронике : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / М. А. Шишов, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Бобрович О.Г. Физико-химические процессы при ионно-ассистированном формировании металлосодержащих покрытий на кремнии и графите : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / О. Г. Бобрович, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Комлев А.Е. Технология осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.02 / А. Е. Комлев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Ильин А.С. Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si3N4, SiO2-SnO2, SiO2-B2O3 и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. С. Ильин, 2005. - 17 с. - Текст : непосредственный.Бейсенханов Н.Б. Структурные и физические свойства пленок SiCx и SnOx, синтезированных различными методами : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 05.27.01 / Н. Б. Бейсенханов, 2011. - 31 с. - Текст : непосредственный.Тарасенко Е.О. Математическое моделирование особенностей роста и структурных перестроек тонких пленок на подложках : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / Е. О. Тарасенко, 2006. - 17 с. - Текст : непосредственный.Зверев А.В. Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.0410 / А. В. Зверев, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чеботарев С.Н. Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках (технологические аспекты) : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / С. Н. Чеботарев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Волкова С.М. Получение молекулярных пленок на основе тетракис-хелатных комплексов и аддуктов редкоземельных элементов и исследование их свойств : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук :02.00.04 / С. М. Волкова, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный.Костырко С.А. Напряжения в пленочном покрытии и формирование рельефа его поверхности : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.02.04 / С. А. Костырко, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный.Артемов Е.И. Микроструктура и свойства тонких пленок аморфного гидрогенизированного сплава кремния с углеродом : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / Е. И. Артемов, 2004. - 22 c. - Текст : непосредственный.Макаров П.А. Проводящие и СВЧ-отражающие свойства тонких металлических и металл-диэлектрических пленок с включениями : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / П. А. Макаров, 2012. - 26 с. - Текст : непосредственный.Хабибуллина Н.Р. Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н.Р. Хабибуллина, 2005. - 16 с. - Текст : непосредственный.Завадский С.М. Интегрированные ионно-плазменные процессы формирования тонкопленочных структур на рельефных поверхностях : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / С. М. Завадский, 2002. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ильин А.С. Упругие и неупругие свойства тонких пленок Si N, SiO - SnO, SiO -B O и системы Cu-Se, обусловленные включениями второй фазы : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. С. Ильин, 2006. - 17 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽