Полное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЧебуркин А.Н. Диагностика источников электронов по двумерным изображениям : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Чебуркин, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Обвинцев О.А. Повышение качества поверхности полупроводникового кремния при лезвийной обработке с помощью дополнительного деформирования срезаемого слоя : специальность 05.03.01 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. А. Обвинцев, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Кричевский С.В. Разработка приборов анализа и повышения степени чистоты поверхности диоксида кремния : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.01 / С. В. Кричевский, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Чжу Шичю.Исследование локальных характеристик полупроводниковых структур методом поверхностного электронно-индуцированного потенциала в растровой электронной микроскопии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.04 / Чжу Шичю, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Krause J. Entwicklung und Verifikation einer Methode zur akustomikroskopischen Schichtdickenmessung an Mehrschichtsystemen : Diss. / J.Krause, 1992. - 65 S. - Текст : непосредственный.Хаханина Т.И. Научные основы методов контроля высокочистых веществ и безотходных технологий очистки поверхности полупроводниковых структур : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук :05.11.13 / Т. И. Хаханина, 2002. - 56 с. - Текст : непосредственный.Жарких А.П. Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. П. Жарких, 2005. - 17 с. - Текст : непосредственный.Сергеев В.А. Синтез методов и средства неразрушающего контроля качества полупроводниковых изделий на основе моделей неизотермического токораспределения в приборных структурах : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.01 / В.А. Сергеев, 2005. - 42 c. - Текст : непосредственный.Зенин В.В. Обеспечение качества микросоединений в полупроводниковых изделиях в процессе их разработки и серийного производства : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / В. В. Зенин, 1997. - 32 с. - Текст : непосредственный.Преженцев М.Д. Разработка и внедрение в условиях массового производства методики отбраковки потенциально-ненадежных полупроводниковых приборов и интегральных схем, основанной на использовании коронного разряда : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / М. Д. Преженцев, 1995. - 13 с. - Текст : непосредственный.Григорьева Э.В. Определение элементного состава поверхностей и границ раздела с помощью деконволюции рентгенофотоэлектронных спектров : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:02.00.04 / Э. В. Григорьева, 1996. - 26 с. - Текст : непосредственный.Hannot R. Desorption und Nachionisation von Submonolagen unter Verwendung ultrakurzer Laserpulse : Diss. / R.Hannot, 1991. - 64 S. - Текст : непосредственный.Тявловский К.Л. Формирование потенциального рельефа на поверхности кремния и арсенида галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / К. Л. Тявловский, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽