Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Binggeli N. Simulating the amorphization of a-quartz under pressure / N. Binggeli, J. R. Chelikowsky, R. M. Wentzcovitch, 1993. - 12 p. - Текст : непосредственный.Keskar N.R. Calculated thermodynamic properties of silica polymorphs / N. R. Keskar, J. R. Chelikowsky, 1994. - 19,7 p. p. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. pseudopotential-density functional method (PDFM) applied to nanostructures / J. R. Chelikowsky, 2000. - 39 p. - Текст : непосредственный. Algorithms for predicting the structural properties of clusters / J. R. Chelikowsky, N. Troullier, X. Jing, D. Dean, 1994. - 22 p. - Текст : непосредственный.Chelikowsky J.R. The structural properties of silica using classical and quantum interatomic forces / J. R. Chelikowsky, N. R. Keskar, N. Binggeli, 1994. - 40 p. - Текст : непосредственный.Keskar N.R. Mechanical instabilities in AIPO4 / N. R. Keskar, J. R. Chelikowsky, R. M. Wentzcovitch, 1994. - 16 p. - Текст : непосредственный.Electronic structure and spin polarization of Mn-containing dilute magnetic III-V semiconductors / M. Jain, L. Kronik, J. R. Chelikowsky, V. V. Godlevsky, 2001. - 5 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Charnes J.M. Detecting bribery in Jai Alai with control charts / J. M. Charnes, H. S. Gitlow, 1993. - 11 p. - Текст : непосредственный.Podladchikov Y.Y. The role of lithospheric phase transitions for sedimentary basin formation / Y. Y. Podladchikov, A. N.B. Poliakov, D. A. Yuen, 1993. - 13 p. - Текст : непосредственный.Martinez-Herrera J.I. Viscous sintering of spherical particles via finite element analysis / J. I. Martinez-Herrera, J. J. Derby, 1993. - 13 p. - Текст : непосредственный.three-dimensional computation of the force and moment on an ellipsoid settling slowly through a viscoelastic fluid / J. Feng, D. D. Joseph, R. Glowinski, T. W. Pan, 1993. - 25 p. - Текст : непосредственный.Binggeli N. Simulating the amorphization of a-quartz under pressure / N. Binggeli, J. R. Chelikowsky, R. M. Wentzcovitch, 1993. - 12 p. - Текст : непосредственный.crystal structure of the liver fatty acid biding protein.A complex with two bound oleates / J. Thompson, N. Winter, D. Terwey, J. Bratt, 1996. - 41 p. - Текст : непосредственный. Cramer C.J. Development and biological applications of quantum mechanical continuum solvation models / C. J. Cramer, D. G. Truhlar, 1994. - 46 p. - Текст : непосредственный.Cramer C.J. Problems and questions in the molecular modeling of biomolecules / C. J. Cramer, 1994. - 8 p. - Текст : непосредственный.Lyrintzis A.S. The use of a rotating Kirchhoff formulation for High-Speed Impulsive noise / A. S. Lyrintzis, Y. Xue, M. S. Kilaras, 1994. - 10 p. - Текст : непосредственный.Khankari K.K. Applicationof a numerical model for prediction in moisture migration in stored grain / K. K. Khankari, R. V. Morey, S. V. Patankar, 1993. - 19 p. - Текст : непосредственный.Sargent A.L. Electron delocalization in helical bis-quinone anion radicals / A. L. Sargent, J. Almlof, C. A. Liberko, 1994. - 19 p. - Текст : непосредственный.Kannel M.J. Finite element analysis of riveted connections : сборник научных трудов / M. J. Kannel, 1994. - 282 p. - Текст : непосредственный.Formation of the radical anion of cubene and determination of formation, heat of hydrogenation, and olefin strain energy of cubene / P. O. Staneke, S. Ingemann, P. Eaton, M. M. Nico, 1994. - 10 p. - Текст : непосредственный.Roeggen I. An accurate calculation of the three-body potential for the ground state of the helium trimer / I. Roeggen, J. Almlof, 1995. - 41 p. - Текст : непосредственный.3D simulation of flow problems with parallel finite element computations on the Cray T3D / T. Tezduyar, S. Aliabadi, M. Behr, A. Johnson, 1995. - 9 p. - Текст : непосредственный.Keller K.A. three-dimensional simulation of the Kelvin-Helmholtz instability / K. A. Keller, R. L. Lysak, Y. Song, 1999. - 12 p. - Текст : непосредственный.Lee D.-H. MHD waves in a three-dimensional dipolar magnetic field:a search for Pi2 pulsations / D.-H. Lee, R. L. Lysak, 1999. - 17 p. - Текст : непосредственный.Lysak R.L. role of Alfven waves in the formation of Auroral parallel electric fields / R. L. Lysak, Y. Song, 1999. - 19 p. - Текст : непосредственный. Charnes J.M. Vector-autoregressive inference for equally spaced,time-averaged,multiple queue length processes / J. M. Charnes, E. I. Chen, 1994. - 7 p. - Текст : непосредственный.Dai W. Interactions between magnetohydrodynamical discontinuities / W. Dai, P. R. Woodward, 1994. - 26 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКуртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИщенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Шелованова Г.Н. Современные проблемы электроники: кремниевая электроника : учебное пособие / Г. Н. Шелованова, 2006. - 176 с. - Текст : непосредственный.Бабич В.М. Кислород в монокристаллах кремния / В. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер, 1997. - 239 с. - Текст : непосредственный.Kruger M. Mikrostrukturierung von porosem Silicium fur optische und optoelektronische Anwendungen / M. Kruger, 1998. - XII,138 S. S. - Текст : непосредственный.Yeckel A. Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets / A. Yeckel, G. Salinger, J. J. Derby, 1994. - 34 p. - Текст : непосредственный.
Немчинова Н.В. Физикохимия и карботермия кремния : учебное пособие / Н. В. Немчинова, 2017. - 287 с. - Текст : непосредственный.Li J. MIDI! Basis set for silicon, bromine, and iodine / J.Li,Ch.J.Cramer,D.G.Truhlar, 1997. - 18 p. - Текст : непосредственный.Герасименко, Н. Н. Мир материалов и технологий. 6.12 : Кремний - материал наноэлектроники, 2007. - 351 с. - Текст : непосредственный.Исследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Рамановский микроанализ остаточных напряжений в обработанном кремнии и германии / Ин-т сверхтвердых материалов. - 21 c. - Текст : непосредственный.Айвазов А.А. Аморфный гидрогенизированный кремний и приборы на его основе : Учеб. пособие / А.А.Айвазов,Б.Г.Будагян, 1996. - 71 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Потапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽