Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Петров М.Н. Моделирование компонентов и элементов интегральных схем : учебное пособие / М. Н. Петров, Г. В. Гудков, 2011. - 462 с. - Текст : непосредственный.Окунев А.О. Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами / А. О. Окунев, В. А. Ткаль, Л. Н. Данильчук, 2006. - 252 с. - Текст : непосредственный.Золотухин В.В. Тензорная методология исследования надежности алгоритмов программного обеспечения / В. В. Золотухин, К. В. Колесов, М. Н. Петров, 2007. - 206 с. - Текст : непосредственный.Петров М.Н. Исследование характеристик распределенных систем телекоммуникаций методом тензорного анализа и теории массового обслуживания : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.13.14 / М. Н. Петров, 1999. - 42 с. - Текст : непосредственный.Петров М.Н. Вероятностно-временные характеристики асинхронных сетей интегрального обслуживания / М. Н. Петров, Д. Ю. Пономарев, Г. Г. Яновский, 2004. - 316 с. - Текст : непосредственный.Петров М.Н. Photoshop CS / М. Н. Петров, 2004. - 1 o=электрон. опт. диск (CD-ROM). - Текст : электронный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБеляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Истратов А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров, связанных с различными типами Дислокаций в CdS : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. А. Истратов, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Мякенькая Г.С. Моделирование структуры дефектов в кремнии методами молекулярной динамики и квантовой химии : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Г. С. Мякенькая, 2000. - 39 с. - Текст : непосредственный.Осипов П.А. Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn Pb Ge Te и самокомпенсацию примесей в PbSe : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. А. Осипов, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Drabold D.A. Theory of defects in semiconductors / D. A. Drabold, S. Estreicher, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Немов С.А. Резонансные примесные состояния в полупроводниках и связанная с ними сверхпроводимость / С. А. Немов, П. А. Осипов, Р. В. Парфеньев, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный.Вывенко О.Ф. Структура и электронные свойства дислокационного сульфида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / О. Ф. Вывенко, 1994. - 29 с. - Текст : непосредственный.Корреляция малоуглового рассеяния света с типом ростовых микродефектов структуры в бездислокационном бестигельном кремнии / В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, 1989. - 7 с. - Текст : непосредственный.Weber G. EBIC-Untersuchungen an Schraubenversetzungen in Gallium-Arsenid / G. Weber, 1990. - 77 S. - Текст : непосредственный.Старухин А.Н. Магнитооптика триплетных экситонов в полупроводниковых кристаллах : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Н. Старухин, 2006. - 34 с. - Текст : непосредственный.Пальчик Г.В. Электронные свойства и кинетика образования бистабильных термодоноров в германии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Г. В. Пальчик, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Зобов Е.М. Фотоэлектрические и оптические свойства халькогенидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложной структуры : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Е. М. Зобов, 1999. - 42 с. - Текст : непосредственный.Половцев И.С. Метастабильность оптической поляризации ядерных моментов в легированном кремнии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. С. Половцев, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.Красновский О.А. Оптические исследования изоэлектронных уровней в GaP под давлением до 9 ГПа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / О. А. Красновский, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев М.А. Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / М. А. Абдуллаев, 2006. - 41 с. - Текст : непосредственный.Юлдшев Н.Х. Временная кинетика поляризованного вторичного излучения при резонансном импульсном возбуждении экситонов / Н. Х. Юлдшев, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гольдфарб М.В. Электронная структура и оптические свойства примесей на дислокациях в полупроводниках : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / М. В. Гольдфарб, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Жаркой В.П. Теоретическое исследование спектра экситонных состояний магнитнопримесных и ионных кристаллов в магнитном поле : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / В. П. Жаркой, 1991. - 23 с. - Текст : непосредственный.Shallow impurities in semiconductors : материалы временных коллективов / Ed. G. Davies, 1990. - 476 p. - Текст : непосредственный.Окунев А.О. Исследование дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами / А. О. Окунев, В. А. Ткаль, Л. Н. Данильчук, 2006. - 252 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽