Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Tomura S. Studies on programming languages and their processors for the programming language system "Tsukubane" / S. Tomura, 1990. - 124 p. - Текст : непосредственный.Iwasaki A. Development of optical observation methods for material processing in microgravity / A.Iwasaki, 1996. - I,65 p. p. - Текст : непосредственный.Study on alkali metal thermoelectric converter / K. Tanaka, A. Negishi, T. Honda, T. Fujii, 1995. - 64 p. - Текст : непосредственный.Inoue I.H. Electronic states of correlated transition metal oxides: Ca1-x Srx VO3 and Sr2RuO4 / I. H. Inoue, 1999. - v,121 p. p. - Текст : непосредственный.Watanabe.Nonlinear behavior of twin-stripe semiconductor lasers and its application to optical logic operations / Watanabe, 1992. - 92 p. - Текст : непосредственный.Ikegami K. Quasi one-dimensional spin system in Langmuir-Blodgett films of N-docosylpyridinium-bistetracyanoquinodimethane / K. Ikegami, 1993. - 57 p. - Текст : непосредственный.Kawanami H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H. Kawanami, 1991. - 87 p. - Текст : непосредственный.Sobagaki H. Study on standardization of object colors / H. Sobagaki, 1999. - 116 p. - Текст : непосредственный.Yamaguchi Y. Studies on data-driven computer for symbol processing / Y. Yamaguchi, 1994. - 96 p. - Текст : непосредственный.Saito T. A study on establishment of VUV detector standards / T. Saito, 1994. - 73 p. - Текст : непосредственный.Kurita T. A study on applications of statistical methods to elexible information processing / T. Kurita, 1993. - 201 p. - Текст : непосредственный.
Kaneko H. Electrochemical studies on catalytic reaction with redox complex ions and oxoanions / H.Kaneko, 1996. - 60 p. - Текст : непосредственный.Mineta S. Preparation of hard ceramic films by laser PVD method using high power CO-2 laser / S.Mineta,A.Yamada,A.Obara, 1991. - 100 p. - Текст : непосредственный.Tanaka T. Study on the hopfield neural networks for solving combinatorial optimization problems / T.Tanaka, 1999. - 65 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыСеменов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Нефедов А.С. Получение слоев кремния методом термомиграции в нестационарных температурных условиях : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. С. Нефедов, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Борисова И.В. Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. В. Борисова, 2000. - 15 с. - Текст : непосредственный.Обзор. ФЭИ-0241 : Технологические аспекты жидкофазной эпитаксии полупроводников, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный.Сысоев И.А. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / И. А. Сысоев, 2010. - 30 с. - Текст : непосредственный.Razeghi M. The MOCVD Challenge. Vol. 1 : survey of GaInAsP-InP for photonic and electronic applications, 1989. - XII,328 p. p. - Текст : непосредственный.Дерягин Н.Г. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на Si из раствора-расплава : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. Г. Дерягин, 1995. - 20 с. - Текст : непосредственный.Tolksdorf R. Synthese und Erprobung neuer Precursoren fur die CVD-Abscheidung von III/V-Halbleitern / R. Tolksdorf, 1997. - 104 S. - Текст : непосредственный.Савченко В.А. Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Савченко, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный.Kawanami H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H. Kawanami, 1991. - 87 p. - Текст : непосредственный.Ашуров Х.Б. Формирование пленок и эпитаксиальных слоев кремния на сапфировых подложках при осаждении из ионно-молекулярных потоков : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Ашуров, 1994. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Гидрохимическое осаждение тонких пленок халькогенидов металлов : рекомендовано методсоветом ВУЗа / Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, С. С. Туленин, Н. А. Форостяная ; ред. В. Ф. Маркова, 2017. - 281 с. - Текст : электронный.Худайбергенов Г.Ж. Моделирование аргон-силановой плазмы ВЧЕ разряда : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / Г. Ж. Худайбергенов, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Заказ фрагмента документа ₽