Приложение
для AndroidПолное описание
Новые магнитные материалы микроэлектроники. - М. : [б. и.], 2000. - 889 с. : ил. - Тираж не указ. - ISBN 5-88417-225-7. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос. АН, Научный совет "Физика конденсированных состояний", Секция "Магнетизм", подсекция "Физика малых магнитных частиц и пленок", Ин-т радиоэлектроники и электроники РАН, МГУ им. М. В. Ломоносова, Физ. фак. Библиогр. в конце отд. ст. Алф. указ.: с. 880-889
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.3.049.76.002.3(063) |
Рубрики:
Магнитные материалы -- Применение в микроэлектронике -- Съезды и конференции
Кл.слова (ненормированные): КОНФЕРЕНЦИЯ -- МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- ПРИМЕНЕНИЕ -- СЪЕЗД
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-00/62145)
Шифр в сводном ЭК: d8f86a2dc78a506c6d1ed1d714d8e4b8
Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сборник трудов ХIХ международ. шк.-семинара, 28 июня - 2 июля 2004 г., Москва / Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", 2004. - 919 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл.XV Всерос.шк.-семинара,18-21 июня 1996 г.,Москва / Российская академия наук, Научный совет по проблеме "Магнетизм", 1996. - 521 c. - Текст : непосредственный.
Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыНовые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл. XVI Междунар. шк.-семинара, 23-26 июня 1998 г. / Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм". Ч. 1, 1998. - 337 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл. XVI Междунар. шк.-семинара, 23-26 июня 1998 г. / Российская академия наук. Научный совет по проблеме "Магнетизм". Ч. 2, 1998. - 673 с. - Текст : непосредственный.Materials in micro-electronics : монография / Hrsg. H. Hieber, 1991. - 241 S. - Текст : непосредственный.
Polymers for microelectronics : Science and technologyProc.of the intern.symp.on "Polymers for microelectronics-science and technology"(PME'89), Tokyo,Oct.29 - Nov.2,1989 / PME'89, 1990. - XXI,848 p. p. - Текст : непосредственный.Материалы для микроэлектроники и приборостроения : Тезисы докл. межотрасл. науч.-техн. конф., 26 нояб. 1991 г. / "ВИАМ", науч.-произв. об-ние (Москва), 1991. - 18 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Сборник трудов ХIХ международ. шк.-семинара, 28 июня - 2 июля 2004 г., Москва / Российская академия наук, Научный совет "Физика конденсированных сред", 2004. - 919 с. - Текст : непосредственный.Nanotechnology : Developed from a symp.at the 210th nat.meet.of the Amer.chem.soc.,Chicago(Il),Aug.20-24 1995 / Ed.: G.-M. Chow, K. E. Gonsalves, 1996. - IX,413 p. p. - Текст : непосредственный.Werkstoffe der Mikrotechnik : Basis fur neue ProdukteTagung,Karlsruhe,24.-25.Okt.1991, 1991. - 340 S. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники : Тез.докл.XV Всерос.шк.-семинара,18-21 июня 1996 г.,Москва / Российская академия наук, Научный совет по проблеме "Магнетизм", 1996. - 521 c. - Текст : непосредственный.NATO science series. Sub-ser.II, Mathematics, physics and chemistry. Vol. 194 : Zinc oxide-a material for micro-and optoelectronic applications : proc. of the NATO advanced research workshop on zinc oxide as a material for micro-and optoelectronic applications, 23-25 Jun. 2004, St Petersburg / NATO advanced research workshop on zinc oxide as a material for micro-and optoelectronic applications (2004; St. Petersburg), 2005. - XVI, 240 p. - Текст : непосредственный.III Всесоюзная конференция "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники" : Программа и тезисы докл.,Новосибирск,4-6 июня 1991 г. / "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники",всесоюзная конф. (3 ; 1991 ; Новосибирск) , 1991. - 149 с. - Текст : непосредственный.Papers from 1st international conference on advanced materials and processes for microelectronics, 15-18 March,1999 San Jose(Ca) / International conference on advanced materials and processes for microelectronics (1st ; 1999 ; San Jose(Ca)) , 1999. - 1897-2395 p. p. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽