Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Морозов В.Н. Подавление флуктуации мощности инжекционных лазеров с помощью отрицательной обратной связи / В. Н. Морозов, Р. Ф. Набиев, В. Р. Шидловский, 1989. - 42 с. - Текст : непосредственный.Шабанова Н.П. Измерение верхнего критического магнитного поля сверхпроводников NbзSn, MBa CuзO (M: Y, Ho, Gd) / Н. П. Шабанова, 1990. - 10 p. - Текст : непосредственный.A search for non-triggered gamma ray bursts in the BATSE continuous records: preliminary results / B. Stern, Ya. Tikhomirova, D. Kompaneets, 1999. - 14 p. - Текст : непосредственный.Дуванов Б.Н. Схемы накачки и оптика для рентгеновских лазеров / Б. Н. Дуванов, А. Г. Федорец, 1993. - 55 с. - Текст : непосредственный.Ковалев В.Ф. Lie symmetry and a group on a solution of a boundary value problem / В. Ф. Ковалев, S. V. Krivenko, Pustovalov V.V., 1995. - 22 p. - Текст : непосредственный.Тепловое воздействие лазерного ИК облучения на ВТСП образцы / С. Д. Зотов, Е. М. Кудрявцев, Э. Н. Лоткова, Б. Г. Макеев, 1995. - 17 c. - Текст : непосредственный.Щелевые волноводные СО лазеры / А. А. Кузнецов, В. В. Кюн, В. Г. Леонтьев, 1995. - 22 c. - Текст : непосредственный.Перспективы экспериментальных исследований на синхротроне "Пахра" / Б. Б. Говорков, А. И. Львов, Е. И. Малиновский, 2002. - 33 с. - Текст : непосредственный.Любченко С.Ю. Компьютерное моделирование радиочастотных помех / С. Ю. Любченко, 2002. - 14 с. - Текст : непосредственный.Подгорный А.И. Numerical sinulation of the current sheet near the X-line of solar spots magnetic field / А. И. Подгорный, 1994. - 49 p. - Текст : непосредственный.Петухов В.Г. Влияние толщины слоя питательной среды на люминесцентные свойства бактерий E.COLI / В. Г. Петухов, В. Ю. Федорович, 1994. - 13 c. - Текст : непосредственный.Ковалев В.Ф. Симметрия Ли кинетического уравнения Власова 2. Электронный газ. Одномерное релятивистское приближение / В. Ф. Ковалев, С. В. Кривенко, В. В. Пустовалов, 1993. - 29 c. - Текст : непосредственный.Многофункциональный нейтронный спектрометр для интенсивного импульсного источника нейтронов Московской мезонной фабрики / А. И. Исаков, С. П. Кузнецов, А. Д. Перекрестенко, 1994. - 42 c. - Текст : непосредственный.Математическая модель и метод расчета имплозии электродинамически ускоряемой плазмы / В. А. Гасилов, С. Ю. Гуськов, С. В. Захаров, 1999. - 32 с. - Текст : непосредственный.Численное моделирование процессов нелинейной теплопроводности и радиационной газовой динамики при имплозии вещества во внутренних полостях мишеней ЛТС / В. А. Гасилов, С. Ю. Гуськов, С. В. Захаров, 1999. - 19 с. - Текст : непосредственный.Behavior of high-Tc Ba1-x Kx BiOз in microwave field / N. V. Anshukova, A. I. Golovaskin, A. M. Tskhovrebov, 1991. - 17 p. - Текст : непосредственный.О вариациях атмосферного озона по наблюдениям на миллиметровых волнах / С. В. Соломонов, Е. П. Кропоткина, А. Н. Лукин, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.Оптические исследования плазмы наносекундных сильноточных разрядов через металлические проволочки / Г. В. Иваненков, А. Р. Мингалаев, С. А. Пикуз, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Апанасенко А.В. О взаимодействии - частицы с ядром атома железа при энергии 100 ТЭВ/n/ / А. В. Апанасенко, А. А. Горячих, С. Я. Шаламова, 1992. - 26 с. - Текст : непосредственный.Далькаров О.Д. Физика элементарных частиц / О. Д. Далькаров, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыКорреляция малоуглового рассеяния света с типом ростовых микродефектов структуры в бездислокационном бестигельном кремнии / В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, 1989. - 7 с. - Текст : непосредственный.Юлдшев Н.Х. Временная кинетика поляризованного вторичного излучения при резонансном импульсном возбуждении экситонов / Н. Х. Юлдшев, 1992. - 29 с. - Текст : непосредственный.Особенности формирования отрицательным мюоном акцепторного центра в алмазе и поведение его поляризации / А. С. Батурин, В. Н. Горелкин, Т. Н. Мамедов [и др.], 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.
Взаимодействие центра MnGaBGaA3 с электромагнитным и акустическим излучением / Н.С.Аверкиев,А.А.Гуткин,О.Г.Максимова и др., 1991. - 49 с. - Текст : непосредственный.Травников В.В. Edge luminescence of surface centers in CdS crystals / В.В.Травников, 1992. - 40 p. - Текст : непосредственный.Исследование акцепторной примеси бора в искусственном алмазе - SR-методом / Т. Н. Мамедов [и др.], 2007. - 10 с. - Текст : непосредственный.Дзюбенко А.Б. Энергии примесно-связанных состояний двумерных магнитоплазменных и спиновых возбуждений в сильном магнитном поле / А.Б.Дзюбенко,Ю.Е.Лозовик, 1992. - 38 с. - Текст : непосредственный.Лебедев А.А. Свойства уровней хрома в кремнии / А.А.Лебедев,Н.А.Султанов, 1991. - 10 с. - Текст : непосредственный.Сажин М.И. Эффекты пространственной дисперсии и экситонного затухания в спектрах поляритонной люминесценции / М.И.Сажин, 1991. - 37 с. - Текст : непосредственный.Кикоин К.А. Crystal fields and ligand fields for 3d impurities in CdTe / К. А. Кикоин, I. G. Kurek, S. V. Melnichuk, 1990. - 20 p. - Текст : непосредственный."Отрицательная" люминесценция в Cd Hg Te / З.Ф.Агаев,Г.С.Сеидли,Е.В.Хыцырова,Н.М.Шукюров, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Авруцкий И.А. Расчет энергии связи экситона в напряженных КЯ-структурах / И. А. Авруцкий, В. А. Сычугаев, Б. А. Усиевич, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Исследование температурной зависимости скорости релаксации акцепторного центра в кремнии -SR-методом / Т.Н.Мамедов,К.И.Грицай,А.В.Стойков и др., 2000. - 11 с. - Текст : непосредственный.Аждаров Г.Х. Легирование твердых растворов германий-кремний медью и определение энергии связи первого акцепторного состояния этой примеси в кристаллах / Г. Х. Аждаров, Р. З. Кязимзаде, В. В. Мир-Багиров, 1991. - 21 с. - Текст : непосредственный.Бондарева Т.В. Численное моделирование диффузии примесей III и Y групп в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации / Т. В. Бондарева, В. И. Кольдяев, Л. Н. Александров, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Зависимость скорости релаксации магнитного момента мелкого акцепторного центра от концентрации примеси в кремнии / Т.Н.Мамедов,Д.Г.Андрианов,Д.Герлах и др., 2000. - 8 с. - Текст : непосредственный.Квит А.В. Линейчатый спектр донорно-акцепторной рекомбинации в Ga As / А. В. Квит, С. Р. Октябрьский, Б. Г. Журкин, 1990. - 18 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽