Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Крафтмахер Я.А. Три эффекта в высокотемпературной теплоемкости / Я. А. Крафтмахер, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.
Размеры сверхпроводящих областей в керамике YBa2Cu3O7-z / К.Р.Жданов,В.С.Кравченко,В.Е.Федоров и др., 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный.Мамонтов В.Н. О природе всемирного тяготения и новом подходе к физическим системам отсчета / В.Н.Мамонтов, 1999. - 50 с. - Текст : непосредственный.Взаимодействие YBa Cuз O с газом (N, O, NO) / Э.А.Украинцева,А.А.Нацина,В.А.Логвиненко,Н.И.Алферова, 1989. - 16 p. - Текст : непосредственный.Белеванцев В.И. Стандартизация констант равновесий диссоциации (образования) комплексов и кислот и влияние на них состава смешанных растворителей / В.И.Белеванцев,В.Н.Асеева, 1999. - 41 с. - Текст : непосредственный.Structure of the occupied valent electronic states of La CuO -based high-Tc superconducting materials / V.A.Nasluzov,A.V.Kondratenko,K.M.Neyman,V.V.Rivanenkov, 1989. - 34 p. - Текст : непосредственный.Крафтмахер Я.А. Измерение электропроводности по фазовому углу эффективной магнитной восприимчивости / Я.А.Крафтмахер, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.Украинцева Э.А. Безводные нитратокомплексы переходных металлов в среде жидкого тетраоксида диазота. Ч.2.Нитратокомплексы Fe(III), Co(II), Zn с катионом тетраалкиламмония. Синтез и свойства / Э. А. Украинцева, А. А. Нацина, И. И. Яковлев, 1990. - 37 c. - Текст : непосредственный.Солодовников С.Ф. Проблема кристаллохимического дизайна сверхпроводящих оксидов / С.Ф.Солодовников, 1990. - 57 с. - Текст : непосредственный.Фомин Э.С. Расчеты химических сдвигов Ка-линии в переходных металлах от Sc до Ln методом Xa-PB / Э.С.Фомин,В.В.Мурахтанов, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Холопов Е.В. Absolute coulomb potentials in perfect crystals: the topological contribution to bulk properties / Е.В.Холопов, 2001. - 22 p. - Текст : непосредственный.Холопов Е.В. Fictitious monopoles and convergence in the lattice-summation problem / Е.В.Холопов, 2001. - 27 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Куртев Н.Д. Электронные цепи и устройства / Н. Д. Куртев, В. И. Нефедов, 1990. - 53 с. - Текст : непосредственный.Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Физика и техника полупроводников / Российская академия наук, Физико-технический ин-т им. А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). - Журнал выходит с 1967г. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Воскресенский В.В. Применение туннельных диодов в импульсной технике, 1974. - 120 с. - Текст : непосредственный.Полупроводниковая микроэлектроника : сборник научных трудов / Новосибирский электротехнический ин-т, 1989. - 113,5 c. c. - Текст : непосредственный.Лазерная и оптико-электронная техника : сборник научных трудов / Белорусский ун-т им. В. И. Ленина (Минск), 1989. - 215 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кравченко А.Ф. Магнитная электроника / А. Ф. Кравченко ; Ред. И. Г. Неизвестный, 2002. - 398 с. - Текст : непосредственный.Зотов А.А. Физические основы устройств функциональной электроники / А. А. Зотов, Т. И. Чернышова, В. Н. Чернышов, 1993. - 208 c. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика : материалы временных коллективов, 2014. - 240 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Щука А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука, 2007. - 463 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 1, 2007. - 450 с. - Текст : непосредственный.Основы электротехники, микроэлектроники и управления. Теория и расчет : учеб. пособие: в 2 т. / Ю. А. Комиссаров [и др.] ; ред. П. Д. Саркисов. Т. 2, 2007. - 310 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов Ю.А. Нелинейная проводимость и вольт-амперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток / Ю. А. Романов, Е. В. Демидов, 1997. - 19 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Диэлектрическое усиление экситонов в полупроводниковых квантовых нитях / Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Тагиев О.В. Механизм токопрохождения в монокристаллах Mn Ba2 Se4 в сильных электрических полях / О. В. Тагиев, Э. З. Зейналов, З. А. Искандерзаде, 1991. - 37 с. - Текст : непосредственный.Ибрагимов Т.Д. Объемные и поверхностные колебательные состояния в полупроводниковых и диэлектрических пленках / Т. Д. Ибрагимов, Х. С. Наджафова, 1991. - 30 с. - Текст : непосредственный.Фундаментальные процессы роста пленок Au на подложках GaAs и их влияние на свойства границ разделов металл-полупроводник / Т. А. Брянцева, Д. В. Любченко, Е. О. Юневич, Г. Г. Дворянкина, 1997. - 29 с. - Текст : непосредственный.
Маркова Н.В. Generation of electron-hole pairs in narrow-gap semiconductor heterostructures by the potential barrier (Klein's effect) / Н.В.Маркова, 1994. - 3 p. - Текст : непосредственный.Маркова Н.В. Exchange energy of degenerate electron gas in narrow-gap semiconductor film / Н.В.Маркова, 1995. - 13 c. - Текст : непосредственный.Селезнев В.Н. Изменение проводимости структур на основе аморфного кремния под действием электрического поля / В.Н.Селезнев,Л.Е.Федичкин, 1990. - 15 c. - Текст : непосредственный.Анализ преимуществ, перспектив применения и технологий производства структур КНИ / А.Л.Суворов,Ю.А.Чаплыгин,С.П.Тимошенков и др., 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽