Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Технологии и методы исследования структур КНИ / Б. Ю. Богданович, В. И. Графутин, В. В. Калугин, А. В. Нестерович, 2003. - 288 с. - Текст : непосредственный.Климов О.Д. Практикум по прикладной геодезии. Изыскания, проектирование и возведение инженерных сооружений : учебное пособие / О. Д. Климов, В. В. Калугин, В. К. Писаренко, 2008. - 271 с. - Текст : непосредственный.
Перспективные системы передачи, обработки и отображения информации. Вопросы повышения эффективности использования каналов и сетей систем передачи данных / В. Н. Деминов, В. И. Долгов, В. В. Калугин [и др.]; под редакцией доктора технических наук, профессора С. Н. Терентьева, 1974. - 99 с. - Текст : непосредственный.Калугин В.В. Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / В. В. Калугин, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Микроэлектромеханические системы : учеб. пособие / С. П. Тимошенков [и др.], 2009. - 52 с. - Текст : непосредственный.Минаев В.С. Наногетероморфная структура и релаксация некристаллического вещества : учеб. пособие / В. С. Минаев, С. П. Тимошенков, В. В. Калугин, 2010. - 144 с. - Текст : непосредственный.Калугин В.В. Физико-технологические основы получения многослойных структур для ИС и элементов МЭМС : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / В. В. Калугин, 2008. - 41 с. - Текст : непосредственный.Калугин, В. В. Проектирование территорий населенных мест : Учеб. пособие для студентов III курса специальностей 300100 - Приклад. геодезия, 311100 - Гор. кадастр. Ч. 1, 2005. - 69 с. - Текст : непосредственный.Материалы и сообщения по фондам Отдела рукописей БАН. Вып. 8 : [памяти Александра Александровича Амосова] / составители и редакторы: Ф. В. Панченко (отв. ред.), О. С. Сапожникова, 2020. - 747 с. (Введено оглавление). - Текст : непосредственный.Разработка и моделирование МЭМС-устройств : учебное пособие / А. С. Шалимов, Е. С. Кочурина, В. В. Калугин, С. П. Тимошенков, 2019. - 144 с. - Текст : непосредственный.Интеллектуальные системы и микросистемная техника : научно-практическая конференция, Россия, Кабардино-Балкария, пос. Эльбрус, 01-07 февраля 2024 г.: сборник трудов / Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 2024. - 239 с. (Введено оглавление). - Текст (визуальный) : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Воропаев П.В. Теоретические основы моделирования электромагнитного поля в электромеханических системах / П. В. Воропаев, 1997. - 99 с. - Текст : непосредственный.Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Бурцев В.А. Электрический взрыв проводников и его применение в электрофизических установках / В. А. Бурцев, Н. В. Калинин, А. В. Лучинский, 1990. - 289 c. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Всеволодов, Николай Сергеевич. Изделия широкого потребления из дуралюминиевых труб / Н. С. Всеволодов, 1947. - 73, [3] с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Соколова Е.М. Электрическое и электромеханическое оборудование: общепромышленные механизмы и бытовая техника / Е. М. Соколова, 2001. - 224 с. - Текст : непосредственный.Громов А.К. Электромеханическое преобразование энергии : учебное пособие / А. К. Громов, 2007. - 199 с. - Текст : непосредственный.Баев Б.П. Микропроцессорные системы бытовой техники / Б. П. Баев, 2005. - 480 с. - Текст : непосредственный.Дэвидсон Г.Л. Поиск неисправностей и ремонт электронной аппаратуры без схем / Г. Л. Дэвидсон, 2002. - 536 с. - Текст : непосредственный.Васильев В.Н. Введение в основы теории электромеханических систем : монография / В. Н. Васильев, А. В. Галанин, 1993. - 44 c. - Текст : непосредственный.Поляков Ю.Н. Мастер- электрик / Ю. Н. Поляков, 2000. - 367 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line
Показать все результатыЦырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Kamp M. Metallorganische Molekularstrahlepixtaxie im Heterosystem GaAs/AlGaAs / M. Kamp, 1992. - 124 S. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Садофьев С.Ю. Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. Ю. Садофьев, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный.Трофим В.Г. Жидкостная эпитаксия гетероструктур AlGaAs - GaAS из ограниченного объема расплава и создание фотопреобразователей излучения на их основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / В. Г. Трофим, 1990. - 34 с. - Текст : непосредственный.Варнаков С.Н. Сверхвысоковакуумное термическое напыление мультислоев Fe/Si и изучение влияния условий роста на их химические, структурные и магнитные свойства : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. Н. Варнаков, 2005. - 19 с. - Текст : непосредственный.Злотникова И.Я. Теоретическое и экспериментальное исследование процесса термического окисления кремниевых структур : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. Я. Злотникова, 1995. - 16 с. - Текст : непосредственный.Балашев В.В. Формирование поверхности SI(III) при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния и адсорбции бора : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. В. Балашев, 2002. - 24 с. - Текст : непосредственный.Баранник А.А. Исследование кристаллогенезиса полупроводников AIIIBV из висмутсодержащих расплавов (на примере InSbBi, AllnSbBi) : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. А. Баранник, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный.Разумовский П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / П. И. Разумовский, 2000. - 13 с. - Текст : непосредственный.Жаринова Н.Н. Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Н. Н. Жаринова, 2001. - 25 с. - Текст : непосредственный.Кочковая Н.В. Математическое моделирование роста многокомпонентных твердых растворов А В : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. В. Кочковая, 2001. - 18 с. - Текст : непосредственный.Яновицкая З.Ш. Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / З. Ш. Яновицкая, 2003. - 31 . - Текст : непосредственный.Попов А.И. Формирование структуры многокомпонентных твердых растворов замещения в гетеросистемах с резко различающимися ковалентными радиусами : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Попов, 2004. - 26 с. - Текст : непосредственный.Андреев А.Ю. Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Ю. Андреев, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Ховив Д.А. Формирование тонкопленочных оксидосодержащих гетероструктур : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Ховив, 2008. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽