Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыФадеев А.В. Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии / А. В. Фадеев, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Волоховский А.Д. Исследование и разработка системы характеризации процессов формирования наноразмерных элементов интегральных схем / А. Д. Волоховский, 2018. - 27 с. - Текст : непосредственный.Алексахин А.В. Разработка автоматизированных систем алмазно-абразивной резки слитков полупроводниковых и диэлектрических материалов / А. В. Алексахин, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный.Чакветадзе Д.К. Припоечные композиты на основе стекол системы PbO-B2O3 и R2O-SnO-P2O5 (R=Li, Na, K) : специальность 05.17.11 - Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук / Д. К. Чакветадзе, 2019. - 16 с. - Текст : непосредственный.Гулидов Д.Н. Использование анизотропии свойств полуфабрикатов для оптимизации технологии кремниевых ИС : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук:05.27.01 / Д. Н. Гулидов, 1992. - 50 с. - Текст : непосредственный.Дормушев А.Е. Повышение эффективности операции разрезания заготовок из хрупких неметаллических материалов путем активации элементов технологической системы : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.03.01 / А. Е. Дормушев, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный.Давлятшина А.А. Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме HCI и его смесей с азотом и кислородом : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 02.00.04 / А. А. Давлятшина, 2013. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сосунов А.Г. Теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / А. Г. Сосунов, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.Суворинов А.В. Развитие теории и основ проектирования низковольтного электронно-оптического оборудования для диагностики изделий интегральной электроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 05.27.07 / А. В. Суворинов, 1998. - 34 с. - Текст : непосредственный.Салеев Д.В. Алгоритмическое обеспечение подсистемы оптимизации технологического процесса производства интегральных схем типа ТТЛ : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.06 / Д. В. Салеев, 2016. - 16 с. - Текст : непосредственный.Филипенко Н.А. Геттерирование электрически активных дефектов в полупроводниковых структурах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Н. А. Филипенко, 2002. - 15 с. - Текст : непосредственный.Чумаров С.Г. Исследование и разработка методов обеспечения оптимальной технологической воспроизводимости аналоговых микросборок по критерию точности электрических выходных параметров : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.12.04 / С. Г. Чумаров, 2002. - 23 с. - Текст : непосредственный.Зайцев Н.А. Стабилизация структурно-примесных и электрофизических свойств системы Si-SiO в производстве кремниевых микросхем : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук: 06.27.01 / Н. А. Зайцев, 1994. - 51 с. - Текст : непосредственный.Bergmann R.B. Siliziumschichten auf Siliziumdioxid mittels Flussigphasenepitaxie-Herstellung und Charakterisierung von Schichtsystemen : Diss. / R.B.Bergmann, 1991. - 132 S. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Заказ фрагмента документа ₽