Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Сорокин И.Н. Диэлектрические пленки в полупроводниковой электронике / И. Н. Сорокин, М. В. Акуленок, 1995. - 116 c. - Текст : непосредственный.Сорокин И.Н. Технология электронных компонентов / И. Н. Сорокин, М. В. Акуленок, 1999. - 196 с. - Текст : непосредственный.
Расчетные и экспериментальные оценки поля рентгеновского излучения, создаваемого высоковольтными элементами установки "ускоритель-тандем БНЗТ" / А. Г. Башкирцев [и др.], 2012. - 18 с. - Текст : непосредственный.Регистрация темного тока большой интенсивности в ускорителе-тандеме с вакуумной изоляцией после увеличения апертуры ускорительного канала / В. И. Алейник [и др.], 2012. - 14 с. - Текст : непосредственный.Назаров Н.Г. Измерения: планирование и обработка результатов / Н.Г.Назаров, 2000. - 302 с. - Текст : непосредственный.Назаров Н.Г. Современные методы и алгоритмы обработки измерений и контроля качества продукции : Учеб. пособие для высш. учеб. заведений по напр. "Метрология, стандартизация и сертификация", спец. "Метрология и метролог. обеспечение" / Н.Г.Назаров,Е.А.Архангельская, 1995. - Текст : непосредственный.Назаров Н.Г. Метрология. Основные понятия и математические модели : Учеб.пособие / Н.Г.Назаров, 2002. - 348 с. - Текст : непосредственный.Сорокин И.Н. Физико-химические основы прочности неразъемных соединений микроэлектронных устройств : Учеб. пособие по курсу "Физ.-хим. основы технологии микроэлектроники" / И.Н.Сорокин,Г.А.Яковлев, 1994. - 199 c. - Текст : непосредственный.Назаров Н.Г. Методы экспериментальной оценки качества партии изделий с учетом степени риска : учеб. пособие / Н. Г. Назаров, 2015. - 95 с. - Текст : непосредственный.Назаров Н.Г. Математические модели средних рисков производителя при контроле партии однородной продукции / Н. Г. Назаров, А. Н. Назаров, 2007. - 82 с. - Текст : непосредственный.Крючков А.М. Работы по исследованию и созданию ускорительных трубок высоковольтных ускорителей заряженных частиц / А. М. Крючков, И. Н. Сорокин, В. В. Широков, 1994. - 39 c. - Текст : непосредственный.Физико-химические процессы микроэлектронной технологии : Сб. науч. тр. / Моск. гос. ин-т электрон. техники (техн. ун-т), 1993. - 203 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.Клебанова И.В. Синтез самонастраивающихся систем управления технологическими процессами сухого травления кремния : специальность 05.13.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / И. В. Клебанова, 1994. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Аракчеева Е.М. Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений А В, полученные методом реактивного ионного травления : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Е. М. Аракчеева, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Исследование газового травления в системе Ga As-As Clз-H2 / Ю.В.Жиляев,А.Ю.Куликов,Г.Р.Маркарян и др., 1989. - 7 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1487) : Плазмохимическое и ионно-химическое травление-полупроводниковых материалов типа А B : По данным отеч.и зарубеж.печати за 1966-1988 гг. / В.И.Светцов,Н.Г.Данилов,Т.А.Чеснокова, 1989. - 47 с. - Текст : непосредственный.Кушхов А.Р. Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. Р. Кушхов, 2004. - 18 с. - Текст : непосредственный.Чжан Хай-Ин.Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / Чжан Хай-Ин, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный.Горбатов Ю.Б. Исследование процессов травления ионными и атомными пучками, стимулированных потоком фторсодержащих радикалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Ю. Б. Горбатов, 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный.Багрий И.П. Исследование и разработка способов повышения эффективности плазмохимической микрообработки материалов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. П. Багрий, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Апполонов С.В. Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. В. Апполонов, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Абрамова Е.А. Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Е. А. Абрамова, 2003. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сорокин И.Н. Химическое травление полупроводниковых соединений : Учеб. пособие по курсу "Физ.-хим. основы технологии микроэлектроники" / И.Н.Сорокин,Н.Г.Назаров, 1992. - 96 с. - Текст : непосредственный.Панчук О.О. Взаимодействие теллурида кадмия с водными растворами бихромата калия в минеральных кислотах : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук: 02.00.01 / О. О. Панчук, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Беневоленский С.Б. Повышение эффективности травления арсенида галлия в низкотемпературной плазме с использованием гетерогенного катализа и пассивации боковых поверхностей профиля травления продуктами полимеризации : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.12.13 / С. Б. Беневоленский, 1991. - 20 с. - Текст : непосредственный.Сытов И.П. Моделирование процесса фотостимулированного травления кремния в среде хлора : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01 / И. П. Сытов, 1993. - 18 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽