Полное описание
Рожавская, М. М.
ГРНТИ УДК 47.13.11 621.315.592.9-047.84(043)
Кл.слова (ненормированные): ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ -- ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- МЕТАЛЛ-ОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Представлена разработка новых подходов к эпитаксиальному росту III-N соединений и исследование свойств выращенных слоев и гетероструктур.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар14-32528)
Шифр в сводном ЭК: 7c45e20a2ed1dda0091f1853ff9048dd
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный. Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный. Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный. Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный. Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный. Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-line Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный. Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный. Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный. Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный. Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Рожавская М.М. Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. М. Рожавская, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Якименко А.Н. Физические основы инженерии радиационных дефектов в диодных и МДП структурах / А. Н. Якименко, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Кузубов С.В. Структурно-фазовые превращения на поверхности арсенидов галлия и индия в процессе взаимодействия с селеном / С. В. Кузубов, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Малий Л.В. Физико-химические процессы при нестационарном высокоэнергетическом синтезе селенида кадмия : специальность 02.00.04 - Физическая химия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук / Л. В. Малий, 2018. - 22 с. - Текст : непосредственный. Аксенов М.С. Исследование механизма пассивации поверхности InAs(III)A фторсодержащими анодными слоями : 01.04.10 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / М. С. Аксенов, 2019. - 22 с. - Текст : непосредственный. Лагов П.Б. Повышение импульсно-частотных, тепловых и инжекционных характеристик биполярных кремниевых структур методом радиационно-термической обработки : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.01 / П. Б. Лагов, 2017. - 40 с. - Текст : непосредственный. Кострюков В.Ф. Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия : автореф. дис. .. д-ра хим. наук: 02.00.01 / В. Ф. Кострюков, 2011. - 31 с. - Текст : непосредственный. Новиков В.А. Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металл/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. А. Новиков, 2010. - 18 с. - Текст : непосредственный. Ваганова Н.Т. Физико-химические аспекты формирования квантовых точек в системе InGaAs/GaAs методом мос-гидридной эпитаксии : автореф. дис. .. канд. хим. наук: 05.37.06 / Н. Т. Ваганова, 2012. - 24 с. - Текст : непосредственный. Желаннов А.В. Технологии микропрофилирования и формирования контактных систем для микроприборов на основе нитридов III группы : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.06 / А. В. Желаннов, 2018. - 18 с. - Текст : непосредственный. Денисов С.А. Молекулярно-лучевая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / С. А. Денисов, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный. Васютин Д.С. Исследование зарядовых дефектов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в условиях сильнополевой туннельной инжекции : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.07 / Д. С. Васютин, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный. Румянцев А.В. Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. В. Румянцев, 2018. - 23 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
