Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Калашников А.Н. Влияние элементов внедрения и замещения в ОЦК и ГЦК сплавах на поведение ионно-внедренного гелия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / А. Н. Калашников, 2000. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Мозговой А.Г. Термодинамические свойства паров цезия при температурах до 1700 К и давлениях до 5.2 МПа / А. Г. Мозговой, В. Н. Попов, Л. Р. Фокин, 2002. - 45 с. - Текст : непосредственный.Калашников А.Н. Методы расчета структур элементов на поверхностных акустических волнах по системным критериям : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.01:05.12.17 / А. Н. Калашников, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Калашников А.Н. Система справочных данных о кинетических коэффициентах для расчетов процессов переноса по газовоздушному тракту котельной установки : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.14.01,01.04.14 / А. Н. Калашников, 2001. - 34 с. - Текст : непосредственный.Калашников А.Н. Аппроксимация интегралов столкновения для потенциалов Леннарда-Джонса m-6 в интервале приведенных температур Т = 0,4 200 и показателей m=8 / А.Н.Калашников,Л.Р.Фокин, 1997. - 39 c&. - Текст : непосредственный.Калашников А.Н. Стратегия воспроизводства основных фондов водного транспорта в условиях ограниченности инвестиционных ресурсов : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / А. Н. Калашников, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Технология построения открытой БД по свойствам наноразмерных объектов / А. О. Еркимбаев, В. Ю. Зицерман, В. Ю. Кобзев, Л. Р. Фокин. - Текст : непосредственный // Теплофизические свойства веществ и материалов. - М. : Интерконтакт Наука, 2009. - с. 123-127Калашников А.Н. Социально-экономическая дифференциация в Белгородской области и пути ее использования в привлечении регионального человеческого капитала : 08.00.05 - Экономика и управление народным хозяйством (региональная экономика): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук / Калашников Алексей Николаевич, 2020. - 26 с. - Текст : непосредственный.Научно-техническая информация. Серия 1, Организация и методика информационной работы. - Журнал, 2004г. № 2.Дунаева А.С. Разработка ООО "НИИ Транснефть" в области экологической безопасности и охраны окружающей среды / А. С. Дунаева, А. Н. Калашников, М. Т. Гайсин. - Текст : непосредственный // Нефтяное хозяйство. - Москва : Нефт. хоз-во , 2024. - № 8. - с. 16-20
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Guided discharges generator with 3 MV voltage and 10 V/S steeoness / A. Abramov, E. Asinovsky, G. Norman, 1992. - 14 p. - Текст : непосредственный.Спектр излучения плазмы сильноточного разряда в плазмотроне с расширяющимся каналом / А. В. Зобнин, Э. Х. Исакаев, А. Д. Исэров, 1997. - 33 с. - Текст : непосредственный.Образование бензпирена в котельных установках. Экологические проблемы малой энергетики / В. Ф. Байбуз, Г. П. Гладышев, В. Ю. Зицерман, 1997. - 62 с. - Текст : непосредственный.Дорошенко В.М. Расчет радиационных характеристик термодинамически неравновесного воздуха / В. М. Дорошенко, Н. Н. Кудрявцев, О. В. Яценко, 1992. - 45 с. - Текст : непосредственный.Жиляков Л.А. О возможности использования систем на встречных пучках для осуществления управляемого ядерного синтеза / Л. А. Жиляков, 1998. - 13 с. - Текст : непосредственный.Исакаев М.Э. Обобщенная вольтамперная характеристика электрической дуги в плазматроне с продольным потоком газа / М. Э. Исакаев, 1994. - 16 c. - Текст : непосредственный.Радченко М.Н. Расчет физико-химических свойств и технических характеристик синтетических углеводородных моторных топлив / М. Н. Радченко, Д. Н. Каган, Г. А. Кречетова, 1996. - 39 c. - Текст : непосредственный.Экспериментальный стенд для исследования сплошных плазменных каналов / М. Ю. Марин, В. И. Пильский, Л. Н. Пятницкий, А. Д. Тальвирский, 1992. - 34 с. - Текст : непосредственный.Деревянко А.П. Квазинульмерная модель ускорения плазменного сгустка в коаксиале / А. П. Деревянко, С. А. Медин, 1992. - 20 с. - Текст : непосредственный.Асланян Г.С. Детальная численная модель турбулентного горения угольных частиц в двухмерных камерах сгорания / Г. С. Асланян, И. Л. Майков, 1998. - 52 с. - Текст : непосредственный.Метод определения средних размеров, концентрации и показателя тпреломления частиц в высокотемпературных потоках / О. С. Ваулина, А. П. Нефедов, О. Ф. Петров, А. В. Чернышев, 1995. - 42 c. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПопов В.Ф. Установки молекулярно-пучковой эпитаксии / В. Ф. Попов, 1991. - 48 с. - Текст : непосредственный.
Tlaczala M. Epitaksja movpe w technologii heterostruktur zwiazkow aiiibv / M.Tlaczala, 2002. - 198 s. - Текст : непосредственный.Головнев И.Ф. Квантовая модель элементарных процессов в молекулярно-лучевой эпитаксии. 1.Решение нестационарного уравнения Шредингера в потенциалах, моделирующих взаимодействие с поверхностью / И.Ф.Головнев,О.В.Хохлов, 1992. - 36 с. - Текст : непосредственный.Ayers J.E. Heteroepitaxy of semiconductors. Theory, growth and characterization / J. E. Ayers, 2007. - 455 p. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 7(1530) : Применение осцилляций зеркально-отраженного пучка в дифракции быстрых электронов на отражение для кинетических исследований в молекулярно-лучевой эпитаксии : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1979-1988 гг. / Г.С.Дорджин,Л.Г.Елисеенко,В.А.Игнатюк,Н.Н.Ставнистый, 1990. - 29 с. - Текст : непосредственный.Ефимов А.Н. Геометрические аспекты гетероэпитаксии / А. Н. Ефимов, А. О. Лебедев, 2012. - 109 с. - Текст : непосредственный.Сысоев И.А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIII BV через тонкую газовую зону : монография / И. А. Сысоев, Л. С. Лунин, 2015. - 96 с. - Текст : непосредственный.Бетеров И.М. Методы диагностики молекулярных пучков / И.М.Бетеров,А.С.Яценко, 1991. - 49 c. - Текст : непосредственный.Advances in epitaxy and endotaxy / Ed. H. G. Schneider, 1990. - 460 p. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / Ин-т "Электроника". Вып. 4(1666) : Современные достижения молекулярно-лучевой и лазерной эпитаксии в создании пленочных квантовых структур:По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1976-1990 гг. / С.С.Гельбух,А.С.Джумалиев,Ю.В.Ершова и др, 1992. - 61 с. - Текст : непосредственный.Городниченко О.К. Высокотемпературные пластичность и прочность эпитаксиальных структур арсенида галлия / О.К.Городниченко, 1993. - 142 c. - Текст : непосредственный.Калашников А.Н. Аппроксимация интегралов столкновения для потенциалов Леннарда-Джонса m-6 в интервале приведенных температур Т = 0,4 200 и показателей m=8 / А.Н.Калашников,Л.Р.Фокин, 1997. - 39 c&. - Текст : непосредственный.Лойко Н.Н. Введение в молекулярно-лучевую эпитаксию / Н.Н.Лойко;Под ред.Ю.В.Копаева, 2000. - 47 с. - Текст : непосредственный.Курицын Е.М. Изменение кинетики роста слоев при жидкофазной эпитаксии в поле -облучения / Е.М.Курицын, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный.Дубровский В.Г. Теория формирования эпитаксиальных наноструктур / В. Г. Дубровский, 2009. - 350 с. - Текст : непосредственный.Herman M.A. Molecular beam epitaxy : Fundamentals and current status / M.A.Herman,H.Sitter, 1989. - XII,382 p. p. - Текст : непосредственный.Bonner mathematische Schriften. Nr. 385 : Modelling and numerical treatment of diffuse-interface models with applications in epitaxial growth : Diss. / A. Ratz, 2007. - VI, 94 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽