Приложение
для AndroidПолное описание
Обзоры по электронной технике : разговорник / ЦНИИ "Электроника". - М. : [б. и.], 19 - . - В надзаг.Департамент электрон. пром-сти. - Текст : непосредственный.
Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : по дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский. - 1989. - 60 с. : ил
Библиогр.: с.53-59
| ГРНТИ | УДК | |
| 61.31.47 | 661.68 | |
| 47.09.29 | 621.315.592 |
Рубрики:
Кремний
Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ -- ПРОИЗВОДСТВО -- ЭЛЕКТРОННЫЙ МАТЕРИАЛ
Доп. точки доступа:
Немировский, Л.И.
"Электроника", ин-т (Москва)
Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/15125/9(1506))
Шифр в сводном ЭК: d33d59ef3f2d6a9e32cd17edf5143a48
Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Современные тенденции развития цифровых систем релейной защиты и автоматики : материалы Научно-технической конференции молодых специалистов форума "РЕЛАВЭКСПО-2021", 20-23 апреля 2021 года, Россия, Чувашская Республика, г. Чебоксары / Академия электротехнических наук Чувашской Республики (Чебоксары), 2021. - 225 с. (Введено оглавление). - Текст (визуальный) : непосредственный.
Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 4(158) : Экономический анализ научно-информационной деятельности органов НТИ. Опыт ценообразования в НИД, 1989. - 51 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1481) : Сенсорные экраны : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1978-1988 гг. / Ю.А.Быстров,В.А.Степанов, 1989. - 39 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 14(1489) : Электролиты для гальванического меднения : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1960-1989 гг. / И.Е.Шпак, 1989. - 86 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1511) : Методы и средства измерений магнитной индукции импульсных магнитных полей : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1969-1988 гг. / В.Н.Грудицин,В.Г.Тугарин, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный.Нормативные и методические материалы..Серия 1, Научно-информационная деятельность. Вып. 1(159) : Информационная продукция: Проблемы ценообразования и реализации, электронные выставки, полиэкранные установки, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1657) : Технологическое оборудование для плазменного напыления : По даннным отеч. и зарубеж. печати за 1967-1991 гг. / В.Н.Лясников,В.М.Райгородский, 1992. - 55 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1488) : Состояние и проблемы развития низковольтных керамических конденсаторов за рубежом : По дан. зарубеж. печати за 1982-1989 гг. / Н.А.Барсуков,В.С.Петропавловский,И.О.Трухина, 1989. - 71 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 6(1464) : Возможности применения волоконно-оптических датчиков для измерения параметров магнитного поля : По дан. отеч. и зарубеж. печати 1975-1988 гг. / О.А.Бузова,Е.ГДерюгина,А.С.Донецкий и др., 1989. - 72 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 3(1433) : Особенности эпитаксии и свойства гетеропереходов типа СIV /AIII BV : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1966-1989 гг. / А.В.Ерошкин,И.В.Закурдаев,Ю.Г.Садофьев и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 10(1460) : Автоматизация производства с помощью современных роботов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1988 гг. / Г.А.Дементиевская, 1989. - 62 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1485) : Электрический тестовый контроль на этапах создания интегральных схем : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1972-1988 гг. / С.М.Кузин,В.Н.Панасюк,В.Г.Мокеров,В.В.Исаев, 1989. - 32 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1513) : Зарубежные полимерные материалы для радиодеталей / И.А.Шентенкова,Н.И.Просвирова,Н.А.Нехороших, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 21(1505) : Многофункциональные генераторые СВЧ-устройства с использованием диэлектрических резонаторов : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1985-1989 гг. / Ю.М.Безбородов,Н.И.Лелюх,Б.Н.Севергин, 1989. - 46 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 20(1503) : Лампы бегущей волны : По описаниям зарубеж. изобретей и дан. зарубеж. печати за 1976-1988 гг.ч. 1. Конструкции ЛБВ, электронно-оптических замедляющих систем, направления работ зарубежных фирм по усовершенствованию ЛБВ / Л.Ф.Тесленко,А.В.Иванова,И.К.Лысова и др., 1989. - 68 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 8(1507) : Состояние и перспективы развития лазерной промышленности в капиталистических странах : По дан. зарубеж. печати за 1986-1989 гг. / Ю.Г.Дьякова,Е.К.Белоногова,Т.С.Калачева и др., 1989. - 76 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 1(1512) : Параметрическая оптимизация проектируемых устройств по критериям стоимости и качества / С.И.Дудов,В.П.Мещанов, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 5(1435) : Применение высокотемпературных тепловых труб в прецизионном термическом и ростовом оборудовании / А.Г.Томашевский, 1989. - 43 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 2(1509) : Высокотемпературная сверхпроводимостьч. 1. Природа сверхпроводимости, применение низкотемпературной сверхпроводимости: По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1976-1989 гг. / Г.Н.Шведов, 1990. - 60 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 11(1544) : Лазерно-химические реакции для получения элементов ИЭТ : По дан.отеч.и зарубеж.печати за 1977-1990 гг. / Ю.В.Серянов,Л.В.Аравина, 1990. - 42 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПодготовка шихтовых материалов для электротермического производства кремния / С. Б. Леонов, Б. И. Зельберг, М. П. Авдеев, Н. Б. Леонов, 1991. - 153 c. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Кутчиев А.И. Синтез и квантово-химическое исследование ванадийоксидных структур на поверхности кремнезема и их взаимодействия с парами VOCI3 и H2O : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела", 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. И. Кутчиев, 2007. - 20 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Камашев Д.В. Влияние условий синтеза на морфологию и свойства надмолекулярных структур кремнезема / Д. В. Камашев, 2007. - 125 с. - Текст : непосредственный.Получение кремния из отходов фосфатного производства (Na2SiF6)газофазным методом с использованием натриевого стенда / Е. А. Орлова, Ф. А. Козлов, В. В. Алексеев [и др.], 2009. - 35 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Извлечение коллоидного кремнезема из гидротермальных растворов мембранными методами / В. В. Потапов, В. Н. Зеленков, В. А. Горбач [и др.], 2006. - 226 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИщенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Шелованова Г.Н. Современные проблемы электроники: кремниевая электроника : учебное пособие / Г. Н. Шелованова, 2006. - 176 с. - Текст : непосредственный.Бабич В.М. Кислород в монокристаллах кремния / В. М. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер, 1997. - 239 с. - Текст : непосредственный.Kruger M. Mikrostrukturierung von porosem Silicium fur optische und optoelektronische Anwendungen / M. Kruger, 1998. - XII,138 S. S. - Текст : непосредственный.Yeckel A. Theoretical analysis and design considerations for float-zone refinement of electronic grade silicon sheets / A. Yeckel, G. Salinger, J. J. Derby, 1994. - 34 p. - Текст : непосредственный.
Немчинова Н.В. Физикохимия и карботермия кремния : учебное пособие / Н. В. Немчинова, 2017. - 287 с. - Текст : непосредственный.Li J. MIDI! Basis set for silicon, bromine, and iodine / J.Li,Ch.J.Cramer,D.G.Truhlar, 1997. - 18 p. - Текст : непосредственный.Герасименко, Н. Н. Мир материалов и технологий. 6.12 : Кремний - материал наноэлектроники, 2007. - 351 с. - Текст : непосредственный.Исследование подвижности дислокаций в монокристаллическом кремнии посредством высокотемпературного внутреннего трения / Ин-т сверхтвердых материалов. - 13 c. - Текст : непосредственный.Рамановский микроанализ остаточных напряжений в обработанном кремнии и германии / Ин-т сверхтвердых материалов. - 21 c. - Текст : непосредственный.Айвазов А.А. Аморфный гидрогенизированный кремний и приборы на его основе : Учеб. пособие / А.А.Айвазов,Б.Г.Будагян, 1996. - 71 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Подготовка шихтовых материалов для электротермического производства кремния / С. Б. Леонов, Б. И. Зельберг, М. П. Авдеев, Н. Б. Леонов, 1991. - 153 c. - Текст : непосредственный.Потапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽