Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыИгонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Мальвинова О.В. Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений AIIIBV современной точности обработки : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. В. Мальвинова, 2004. - 23 с. - Текст : непосредственный.Котляров Ю.В. Исследование и разработка технологии обработки подложек для приборных пластин связанным алмазно-абразивным инструментом : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Ю. В. Котляров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Прудаев И.А. Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr / И. А. Прудаев, 2009. - 19 с. - Текст : непосредственный.Терещенко А.М. Моделирование аэротермодинамических процессов в чистых помещениях при производстве интегральных схем : специальность 05.27.07 "", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / А. М. Терещенко, 1996. - 33 с. - Текст : непосредственный.Зюрюкин А.В. Компьютерное моделирование процессов распространения и осаждения аэрозольных частиц в локальных чистых объемах микроэлектроники : специальность 05.27.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. В. Зюрюкин, 1996. - 29 с. - Текст : непосредственный.Хмелев А.Т. Разработка и реализация метода резки кремния на пластины с упругим закреплением слитка : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Т. Хмелев, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Башевская О.С. Разработка оборудования и схем формирования пластин арсенида галлия с целью повышения их точностных параметров : специальность 05.27.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / О. С. Башевская, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.Сологуб Л.В. Формирование и релаксация напряженно-деформированного состояния кремния при изготовлении изделий электронной техники : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Л. В. Сологуб, 1994. - 20 с. - Текст : непосредственный.Перевощиков В.А. Физико-химические процессы химико-динамического полирования полупроводников (кремний, германий, полупроводниковые соединения типа А В) : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. А. Перевощиков, 1994. - 57 с. - Текст : непосредственный.
Ehmann T. Systematische Untersuchungen zur Ultraspurenanalytik von Anionen mit der Kapillarzonenelektrophorese und ihre Anwendung in der Halbleiterindustrie : Diss. / T.Ehmann, 1998. - ii,142 S. S. - Текст : непосредственный.Ковалев А.А. Научные основы создания ресурсосберегающих технологий очистки поверхности полупроводниковых структур на базе электрохимического синтеза и рекуперации растворов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.06 / А. А. Ковалев, 2007. - 50 с. - Текст : непосредственный.Науменко Э.В. Применение математических моделей для выбора оптимальных параметров управления технологическим процессом постимплантационного отжига полупроводниковых структур: На прим. InSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.13.16:05.27.06 / Э. В. Науменко, 1997. - 18 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽