Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Дидык А.Ю. Синтез микрочастиц в молекулярном водороде при давлении 1 КБАР в ядерных реакциях под действием тормозных v-квантов с пороговой энергией 10 МэВ. Химический состав и структуры на внутренних поверхностях компонентов камеры высокого давления / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 40 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Химический состав и структура синтезированных частиц на поверхности ННРС при ядерных реакциях при облучении тормозными v-квантами с пороговой энергией 10 МЭВ в молекулярном водороде при давлении 0.5 КБАР / А. Ю. Дидык, Р. Вишневский, 2014. - 23с. - Текст : непосредственный.Влияние облучения тяжелыми ионами высоких энергий на структурные изменения в аморфных сплавах / А. Ю. Дидык, Л. И. Иванов, В. К. Семина, А. Л. Суворов, 2002. - 11 с. - Текст : непосредственный.Дефектообразование в природном алмазе, облученном высокоэнергетичными ионами Ni / В. С. Вариченко, А. Ю. Дидык, В. А. Мартинович, 1995. - 11 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при различных температурах отжига в вакууме / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 6 c. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Аналитическое сравнение эффектов непрерывного и импульсного воздействия ионного пучка при облучении металлов / А. Ю. Дидык, В. А. Кузьмин, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный.Микроструктура дефектов в имплантированных ионами высоких энергий слоях кремния при отжиге / В. С. Вариченко, П. И. Гайдук, А. Ю. Дидык, Н. М. Казючиц, 1995. - 10 c. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Синтез новых структур, образованных в результате ядерных реакций HHPC с давлением водорода 3,4 кбар, при облучении тормозными γ-квантами с пороговой энергией 10 МэВ / А. Ю. Дидык, Р. Вишневски, 2015. - 27 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный.Голубок Д.С. Расчет дозы повреждений в аморфном сплаве Fe Ni Si B, облученном нейтронами в реакторе ИБР / Д. С. Голубок, А. Ю. Дидык, А. Хофман, 2007. - 11 с. - Текст : непосредственный.Исследование температурных эффектов в модели термического пика в высокоориентированном пиролитическом графите при облучении тяжелыми ионами Kr и Bi высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный.Применение нелинейной модели термического пика для расчета температурных эффектов в двухслойных структурах при облучении их тяжелыми ионами высоких энергий / И. В. Амирханов, А. Ю. Дидык, Д. З. Музафаров [и др.], 2007. - 13 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Структура (,n)-сечения на Pr / С. Н. Беляев, О. В. Васильев, В. В. Воронов, 1995. - 7 c. - Текст : непосредственный.Захарьев Б.Н. Прозрачные возмущения периодических квантовых систем (неожиданная инверсия исходного потенциала) / Б. Н. Захарьев, В. М. Чабанов, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный.The setup to investigate rare processes with neutron producing / V. M. Bystrisky, N. I. Zhuravlev, S. I. Merzlyakov, 1995. - 12 p. - Текст : непосредственный.Maximum entropy technique in the doublet structure analysis / B. Z. Belashev, Yu. A. Panebratsev, E. I. Shahaliv, L. M. Soroko, 1998. - 22 p. - Текст : непосредственный.Анализ характеристик -мезонов и протонов в AC-взаимодействиях при импульсе p=4,2 ГэВ/с на нуклон в рамках модели Fritiof / Ц. Баатар, А. И. Бондаренко, Р. А. Бондаренко, 1999. - 12 с. - Текст : непосредственный.Jones H.F. Analytic properties of and decay / H. F. Jones, И. Л. Соловцов, 1995. - 8 p. - Текст : непосредственный.Lambiase G. Quark mass correction to the string potential / G. Lambiase, V. V. Nesterenko, 1995. - 34 p. - Текст : непосредственный.Картавцев О.И. Variational calculation of antiprotonic helium atoms / О. И. Картавцев, 1995. - 15 p. - Текст : непосредственный.Токарев Ь.В. On polarization mechanism in inclusive meson production and asymmetry sign rule / Ь. В. Токарев, G. P. Skoro, 1995. - 12 c. - Текст : непосредственный.Измерение отношения парциальных ширин распадов очарованных частиц и D, 1993. - 15 c. - Текст : непосредственный.Попов А.К. Оценка импульсной переходной характеристики мощностной обратной связи реактора ИБР-2 частотным методом / А. К. Попов, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Алгоритм и программа моделирования поля магнитной системы спектрометра СТОРС / Е. П. Жидков, Р. С. Егикян, Л. А. Меркулов, 1992. - 4 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов А.Б. Анализ экспериментов по реакции сверхтекучего гелия на импульсные тепловые потоки большой длительности / А. Б. Кузнецов, 1992. - 11 с. - Текст : непосредственный.Дубовик В.М. Перемагничение агрегатов магнитных частиц вихревым полем и использование тороидности для записи информации / В. М. Дубовик, М. А. Марценюк, Н. М. Марценюк, 1992. - 30 с. - Текст : непосредственный.Галактионов В.В. Работа с русскоязычными текстами на ЭВМ типа VAX / В. В. Галактионов, 1993. - 10 с. - Текст : непосредственный.Галактионов В.В. GALAXY - интерактивная система обслуживания файлов и процессов в ОС VMS / В. В. Галактионов, 1993. - 14 с. - Текст : непосредственный.Галактионов В.В. Системонезависимый экранный редактор текстов Vega / В. В. Галактионов, 1993. - 12 с. - Текст : непосредственный.Черепанов Е.А. The analysis of reactions leading to synthesis of superheavy elements within the dinuclear system concept / Е. А. Черепанов, 1999. - 15 с. - Текст : непосредственный.Лазерный ионизационный спектрометр на пучке заряженных частиц циклотрона / Ю. П. Гангрский, Ч. Градечны, В. И. Жеменик, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный.Асланян П.Ж. Observation of candidates for heavy positively charged S= -2H dibaryon with a wear decay channel H / П. Ж. Асланян, V. N. Emelyanenko, V. S. Rikhvitzkiy, 2001. - 26 p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыРоманов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЭффекты кластеризации радиационных дефектов в полупроводниках под облучением / В. Т. Маслюк, А. А. Колб, А. П. Бутурлаки, Д. Б. Гоер, 1991. - 19 с. - Текст : непосредственный.Влияние условий облучения, типа и концентрации легирующих примесей на характеристики радиационных дефектов в антимониде индия при электронном облучении / Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, П. Г. Литовченко, 1991. - 39 с. - Текст : непосредственный.Ахмадалиев А. Исследование кинетики образования и отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном иридием / А. Ахмадалиев, К. А. Бегматов, Э. А. Мусаев, 1989. - 12 с. - Текст : непосредственный.Рудько В.Н. Резонансное плоскостное деканалирование в сверхрешетках с напряженными слоями / В. Н. Рудько, 1990. - 51 с. - Текст : непосредственный.Дидык А.Ю. Особенности взаимодействия нейтронов спектра деления реактора на быстрых нейтронах ИБР-2 с борсодержащими полупроводниковыми монокристаллами BN, BP (AIIIBV) и B4C (AIIIBIV) / А. Ю. Дидык, А. Х. Хофман, 2007. - 8 с. - Текст : непосредственный.Маслюк В.Т. Статистика радиационных дефектов в стационарных полях излучений / В. Т. Маслюк, 1991. - 11 с. - Текст : непосредственный.Радиационное дефектообразование в кристаллах при электронном облучении / Е. Ю. Брайловский, Д. Б. Гоер, Ю. И. Гутич, И. Г. Мегела, 1991. - 25 с. - Текст : непосредственный.Измерение длин деканалирования протонов с энергией 70 ГэВ в кристаллах кремния ориентации (110) и (111) / В. М. Бирюков, Н. А. Галяев, М. А. Гордеева, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Объемный захват протонов с энергией 70 ГэВ в режим каналирования изогнутыми монокристаллами кремния / Н. А. Галяев, В. Н. Запольский, В. И. Котов, 1990. - 13 c. - Текст : непосредственный.
Объемное отражение 1 ГэВ протонов изогнутым кристаллом кремния / Ю. М. Иванов [и др.], 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Множественность заряженных частиц в ливнях от электронов, развивающихся в ориентированных кристаллах кремния и вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2012. - 9 с. - Текст : непосредственный.Множественность заряженных частиц в ливнях от гамма-квантов, развивающихся в ориентированном кристалле вольфрама / В. А. Басков [и др.], 2005. - 11 с. - Текст : непосредственный.Применение электронной эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения для исследования профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+ / К.Ю.Погребицкий,И.П.Сошников,Н.А.Берт,Д.Ж.Сайфудинов, 1997. - 21 с. - Текст : непосредственный.Наблюдение отражения протонного пучка от изогнутых атомных плоскостей / Ю. М. Иванов [и др.], 2005. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рязанов А.И. Разработка теоретической модели для расчета образования каскадов размножения выбитых электронов в кремнии при облучении его быстрым и электронами / А. И. Рязанов, Е. В. Семенов, Т. И. Могилюк, 2010. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽