Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный.Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный.Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный.Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный.Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный.Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный.Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный.Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный.Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный.Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный.Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный.Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный.Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБудилов В.В. Технология вакуумной ионно-плазменной обработки : учебное пособие / В. В. Будилов, Р. М. Киреев, С. Р. Шехтман, 2007. - 155 с. - Текст : непосредственный.Перспективные методы модификации конструкционных материалов : Обзор по отеч. и зарубеж. источникам / М-во атомной энергетики и промышленности СССР. Ч. 1 : Модификация поверхности ионной имплантацией, 1989. - 46 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный.Титов В.В. Ионная имплантация: перспективы и альтернативы / В. В. Титов, 1997. - 15 с. - Текст : непосредственный.
Злобин В.Н. Ионная имплантация в энергетике и машиностроении : монография / В. Н. Злобин, И. П. Васильев, 2018. - 210 с. - Текст : непосредственный.Вольпяс В.А. Физика слабоионизованной плазмы : Прикладные вопросы ионно-плазменного распыления / В.А.Вольпяс,А.Б.Козырев, 1997. - 130 с. - Текст : непосредственный.Численные и экспериментальные методы исследования получения двухзарядных ионов для целей имплантации / М. Турек [и др.], 2013. - 8 с. - Текст : непосредственный.Абдрашитов В.Г. Таблицы угловых распределений ионов при многократном рассеянии для потенциала ZBL / В. Г. Абдрашитов, В. В. Рыжов, В. В. Стародумов, 1993. - 34 с. - Текст : непосредственный.Быковский Ю.А. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов / Ю. А. Быковский, В. Н. Неволин, В. Ю. Фоминовский, 1991. - 237 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.
Наумов В.И. Расчет режимов процесса легирования полупроводниковых материалов : Учеб.пособие для студ.спец."Материалы и компоненты твердотельной электроники"и"Электроника и микроэлектроника" / В.И.Наумов,Г.Л.Гольденберг, 1998. - 52 с. - Текст : непосредственный.Дефектообразование как механизм создания свободных и локализованных дырок в Na-легированных полупроводниках типа PbTe / Г.Т.Алексеева,Ю.А.Дегтярев,Т.В.Жукова и др., 1991. - 46 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Модифицирование полупроводников пучками протонов / В.В. Козловский; Отв. ред. Р.Ш. Малкович, 2003. - 268 с. - Текст : непосредственный.Шипатов Э.Т. Имплантация ионов в полупроводники : Учеб.пособие для вузов / Э.Т.Шипатов, 1998. - 199 с. - Текст : непосредственный.Суворинов А.В. Ионно-лучевая модификация материалов : Учеб. пособие / А.В.Суворинов, 1990. - 108 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев Ю.Н. Термодинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа A BYI / Ю. Н. Дмитриев, В. Д. Рыжиков, Л. П. Гальчинецкий, 1990. - 50 с. - Текст : непосредственный.Фотостимулированные процессы в светочувствительных системах ХСП-А / В.А.Данько,И.З.Индутный,О.П.Касярум и др., 1989. - 26 с. - Текст : непосредственный.Фистуль В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение) : Монография / В.И.Фистуль, 2004. - 431 с. - Текст : непосредственный.Костикова Г.П. Химические процессы при легировании оксидов / Г.П.Костикова,Ю.П.Костиков, 1997. - 156 с. - Текст : непосредственный.Springer series in advanced microelectronics / ed. K. Itoh [et al.]. 19 : Gettering defects in semiconductors / V. A. Perevostchikov, V. D. Skoupov, 2005. - XV,386 p. - Текст : непосредственный.Реутов В.Ф. ПЭМ-изучение в геометрии "Cross-Section" структурных изменений в кремнии в результате последовательного облучения ионами N + He и Ar +He / В.Ф.Реутов,А.С.Сохацкий, 1997. - 10 с. - Текст : непосредственный.Козловский В.В. Легирование материалов А В радиационными дефектами : Препринт / В.В.Козловский,В.Н.Абросимова, 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный.Марголин В.И. Основы нанотехнологии. Электронная литография и ионная имплантация : Учеб.пособие / В.И.Марголин,В.А.Тупик, 2000. - 55 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽