Приложение
для AndroidПолное описание
Zweigart, S. Herstellung von Cu(In, Ga)Se2 - Dunnschichten durch sequentielle Prozesse- Untersuchungen zur Reaktionskinetik / S. Zweigart. - Stuttgart : [s. n.], 2000. - 144 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.129-139
| ГРНТИ | УДК | |
| 44.41.35 | 621.383.51.002(043) |
Рубрики:
Селениды, пленки -- Производство
Солнечные батареи -- Производство
Кл.слова (ненормированные): СЕЛЕНИД -- СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ -- СЕЛЕНИД -- СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/21052)
Шифр в сводном ЭК: f6fef8d7bab375d343f41e3aca9b2193
Шерченков А.А. Физика и технология полупроводниковых преобразователей энергии : учеб. пособие. Ч. 1, 2006. - 164 с. - Текст : непосредственный.Goetzberger A. Photovoltaic solar energy generation / A. Goetzberger, V. U. Hoffmann, T. Asakura, F. Krausz [et al.], 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Rein S. Lifetime spectroscopy / S. Rein, 2005 r=on-line. - Текст : электронный.Wide-gap chalcopyrites / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-lineGreen M.A. Third generation photovoltaics / M. A. Green, 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Luque A.L. Concentrator photovoltaics / A. L. Luque, A. Viacheslav, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Жеребцов В.А. Эффективность плазменного фотоэлектронного преобразователя энергии с холодными электродами / В. А. Жеребцов, 2009. - 11 с. - Текст : непосредственный.Zweigart S. Herstellung von Cu(In, Ga)Se2 - Dunnschichten durch sequentielle Prozesse- Untersuchungen zur Reaktionskinetik / S. Zweigart, 2000. - 144 S. - Текст : непосредственный.Halley J.W. Modelling Challenges in solar photovoltaic devices / J. W. Halley, 2001. - 13 p. - Текст : непосредственный.Апенова М.Г. Региоселективная функционализация Cs- и C2-p7-C70(CF3)8: ориентирующее влияние трифторметильных аддендов : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / М. Г. Апенова, 2014. - 26 с. - Текст : непосредственный.Nell M.E.A. Untersuchung der Beryllium-Diffusion fur die Flussigphasenepitaxie von optimierten AlGaAs/GaAs-Solarzellen / M. E.A. Nell, 1992. - 116 S. - Текст : непосредственный.Родоманов Р.Р. Влияние поверхностных состояний на собирание фотогенерированных носителей заряда в структурах с двусторонней чувствительностью : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Р. Р. Родоманов, 2003. - 19 с. - Текст : непосредственный.Guillen Arqueros C. Propiedades estructurales y opticas de laminas delgadas de CuInSe2 electrodepositadas para su aplicacion en celulas solares fotovoltaicas : сборник научных трудов / C. Guillen Arqueros, J. Herrero Rueda, E. Galiano Esteban, 1990. - 38 мкфш. - Текст : непосредственный.Гудовских А.С. Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения / А. С. Гудовских, 2014. - 34 с. - Текст : непосредственный.Gall S. Admittanzspektroskopische Untersuchungen des a-Si:H/c-Si-Heterouberganges im Hinblick auf photovoltaische Anwendungen / S. Gall, 1997. - II,148 p. p. - Текст : непосредственный.Емельянов В.М. Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных А3В5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения / В. М. Емельянов, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный.Вишникин Е.В. Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем / Е. В. Вишникин, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:I.Solomon et al. Vol. 1, 1988. - XLVI,1019 p. p. - Текст : непосредственный.Proceedings / Ed.:I.Solomon et al. Vol. 2, 1988. - XXXVI,703(1023-1725) p. p. - Текст : непосредственный.Коновалов А.В. Разработка методов получения фоточувствительных полупроводниковых слоев на основе соединений A2B6 для тандемных солнечных элементов / А. В. Коновалов, 2013. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыZweigart S. Herstellung von Cu(In, Ga)Se2 - Dunnschichten durch sequentielle Prozesse- Untersuchungen zur Reaktionskinetik / S. Zweigart, 2000. - 144 S. - Текст : непосредственный.Карлина Л.Б. Кристаллизация в системе InP-In Ga As с участием примесей Mn, Re и разработка приборов на основе данной системы : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Л. Б. Карлина, 1993. - 15 с. - Текст : непосредственный.Henninger R. Elektroreflexion an CuInS2-Solarzellen im Hinblick auf die Optimierung der Prozessparameter bei der Absorber-Herstellung : Diss. / R.Henninger, 2000. - 137 S. - Текст : непосредственный.Олива Э.В. Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук :05.27.06 / Э. В. Олива, 2002. - 19 с. - Текст : непосредственный.Попов А.А. Низкочастотный тлеющий разряд и механизмы роста в нем пленок а-Si:H и сплавов на его основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.06 / А. А. Попов, 1999. - 28 с. - Текст : непосредственный.Siemer K. Schichtwachstum und elektronische Defekteigenschaften von CuInS2-Absorberschichten aus dem sequentiellen Prozess : Diss. / K.Siemer, 2000. - 134 S. - Текст : непосредственный.Курдесов Ф.В. Синтез полупроводниковых пленок CuInSe для тонкопленочных солнечных элементов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Ф. В. Курдесов, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Хвостиков В.П. Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия А В - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. П. Хвостиков, 2003. - 38 с. - Текст : непосредственный.Намазов А.К. Исследование жидкофазной эпитаксии и диффузии примесей из жидкой и газовой фаз для структур солнечных элементов на основе AlGaAs/GaAs и GaSb : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. К. Намазов, 1995. - 19 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽