Приложение
для AndroidПолное описание
Михайличенко, А. В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко. - 2011. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-23 (14 назв.). - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.57 | 621.384.3-047.56(043) |
Кл.слова (ненормированные): ИМПУЛЬСНОЕ ЛАЗЕРНОЕ ОСАЖДЕНИЕ -- ИНФРАКРАСНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ПЛЕНКИ -- ОКСИДЫ ВАНАДИЯ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Аннотация: Разработка и исследование технологических основ создания наноструктурированных пленок VOх методом импульсного лазерного осаждения для чувствительных элементов сенсоров.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар11-15617)
Шифр в сводном ЭК: b3aa46ddfa34b703d06e2374ebeeb8ac
Михайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Янкелевич М.А. Железобетонные изгибаемые элементы со смешанным армированием - : Эксперим. исслед., расчет, оптимизация / М.А.Янкелевич,А.В.Михайличенко, 1990. - 35 c. - Текст : непосредственный.Михайличенко А.В. Автоматизация синтеза и анализа проектных решений распределения инфраструктуры городских инженерных сетей : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.12 / А. В. Михайличенко, 2011. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Шахраманьян Н.А. Электронно-оптические визуализаторы инфракрасных изображений : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Н. А. Шахраманьян, 1998. - 40 с. - Текст : непосредственный.Schneider H. Quantum well infrared photodetectors / H. Schneider, H. C. Liu, 2007 r=on-line. - Текст : электронный.Михайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Денисов Ю.А. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. А. Денисов, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Шрайбер Г. Инфракрасные лучи в электронике / Г. Шрайбер, 2001. - 237 с. - Текст : непосредственный.Бондаренко Е.А. Разработка и исследование многофункциональных полупроводниковых оптоэлектронных приборов для ближней и средней ИК области спектра оптического излучения : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Е. А. Бондаренко, 1995. - 47 с. - Текст : непосредственный.Денисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный.Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений, 1946-2006 / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2008. - 334 с. - Текст : непосредственный.Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NbN пленках / О. В. Окунев, Г. М. Чулкова, А. А. Корнеев [и др.], 2014. - 127 с. - Текст : непосредственный.Wissensspeicher Infrarottechnik / Federfuhr.: K. Herrmann, L. Walther, 1990. - 444 S. - Текст : непосредственный.Тепловидение : Сб.науч.тр. / Моск.гос.ин-т радиотехники,электроники и автоматики(техн.ун-т). 12, 1998. - 102 с. - Текст : непосредственный.Макаров А.С. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем / А. С. Макаров, А. И. Омелаев, В. Л. Филиппов, 1998. - 318 с. - Текст : непосредственный.Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. П. Яковлев, 1995. - 48 с. - Текст : непосредственный.Чиванов А.Н. Принципы построения модульных тепловизионных приборов с последовательно-параллельным сканированием : специальность 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Н. Чиванов, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный.Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный.Багдуев Р.И. Рождение и развитие в Сибири электронно-оптических преобразователей новых поколений и создание на их базе современных приборов ночного видения / Р. И. Багдуев, 2009. - 55 с. - Текст : непосредственный.Recent developments in infrared components and subsystems / Ed. C. T. Elliott, 1988. - VI,116 p. p. - Текст : непосредственный.Infrared systems-design and testing : материалы временных коллективов / Ed.: P. R. Hall, J. Seeley, 1988. - VI,165 p. p. - Текст : непосредственный.Applications of infrared technology : материалы временных коллективов / Ed. T. L. Williams, 1988. - VI,149 p. p. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМихайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Сидоров Г.Ю. Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe / Г. Ю. Сидоров, 2011. - 18 с. - Текст : непосредственный.Якушев М.В. Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / М. В. Якушев, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Яроцкая Е.А. Методы расчета и выбора основных параметров спектрозональных оптико-электронных систем видимого и коротковолнового инфракрасного диапазонов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.07 / Е. А. Яроцкая, 2010. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽