Полное описание
> Квантово-механические модельные расчеты электронной структуры и оптических спектров сложных полупроводниковых материалов : монография / А. А. Лаврентьев, Б. В. Габрельян, Б. Б. Кулагин, В. Т. Ву ; Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону). - Ростов н/Д : ДГТУ, 2017. - 251 с. : ил. - Библиогр.: с. 231-251 (207 назв.). - 500 экз. - ISBN 978-5-7890-1240-6. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.09.29 | 621.315.592 |
Рубрики:
Полупроводники -- Квантовая теория
Аннотация: Изложены результаты расчётов электронно-энергетической структуры ряда соединений, обладающих так называемой «изотропной» точкой, а также основных оптических характеристик этих кристаллов, которые можно получить на основе расчёта тензора диэлектрической проницаемости. Квантово-механические расчёты проводились с использованием полнопотенциального метода с линеаризованным базисом присоединённых плоских волн (FLAPW) в рамках теории функционала плотности (DFT), реализованного в современном, получившем мировое призвание коде WIEN2k. Сделан подробный литературный обзор расчётов мнимой части диэлектрической проницаемости в рамках приближения основного состояния (GS). Основное внимание уделено в оригинальной части монографии собственным расчётам и других оптических характеристик, сделано сравнение с имеющимся экспериментом из литературы. Показано, что приближение GS вполне адекватно описывает оптические характеристики.
Доп. точки доступа:
Лаврентьев, А.А.
Габрельян, Б.В.
Кулагин, Б.Б.
Ву, В.Т.
Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-17/43586)>
Шифр в сводном ЭК: bb0598e16378722a2557d4cb78811076
Лаврентьев А.А. Электрические машины : выставочные материалы / А. А. Лаврентьев, И. М. Бондарь, 2013. - 79 с. - Текст : непосредственный.Квантово-механические модельные расчеты электронной структуры и оптических спектров сложных полупроводниковых материалов : монография / А. А. Лаврентьев, Б. В. Габрельян, Б. Б. Кулагин, В. Т. Ву, 2017. - 251 с. - Текст : непосредственный.
Электронная структура моносульфидов переходных 3d-металлов / А. А. Лаврентьев [и др.], 2014. - 203 с. - Текст : непосредственный.Лаврентьев А.А. Электрические цепи : учеб. пособие / А. А. Лаврентьев, И. М. Бондарь, 2014. - 81 с. - Текст : непосредственный.Лаврентьев А.А. Электронно-энергетическая структура сложных полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук :01.04.07 / А. А. Лаврентьев, 2001. - 43 с. - Текст : непосредственный.Установившиеся и переходные процессы в линейных и нелинейных электрических цепях: теория и практика : учеб. пособие / М. Р. Винокуров [и др.], 2016. - 138 с. - Текст : непосредственный.Лаврентьев А.А. Правила выполнения выпускной квалификационной работы бакалавра : учеб.-метод. пособие / А. А. Лаврентьев, В. В. Мадорский, И. Е. Рогов, 2013. - 113 с. - Текст : непосредственный.Электронно-энергетическая структура сложных халькогенидов и халькогалогенидов / А. А. Лаврентьев [и др.]; [науч. ред. А. В. Солдатов], 2018. - 319 с. - Текст : непосредственный.Габрельян Б.В. Электронная энергетическая структура некоторых полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Б. В. Габрельян, 1999. - 24 с. - Текст : непосредственный.Синтез электронных цифровых устройств на основе логических модулей : учебное пособие / А. А. Лаврентьев, Л. Н. Ананченко, И. Е. Рогов, В. В. Сидоркин, 2019. - 52 с. - Текст : непосредственный.Лаврентьев А.А. Концепция социально-экономического развития мировой инфраструктуры в условиях современной экономики / А. А. Лаврентьев, Р. М. Третьяков, 2013. - 243 с. - Текст : непосредственный.Поддержка компьютинга CMS в ОИЯИ / И.А.Голутвин,В.В.Кореньков,А.А.Лаврентьев и др., 1998. - 10 с. - Текст : непосредственный.Лаврентьев А.А. Пассивные элементы электротехники и электроники : учебное пособие / А. А. Лаврентьев, К. Г. Дударев, И. М. Бондарь, 2017. - 51 с. - Текст : непосредственный.Транспортное машиностроение.Серия 5 : Обзор.информ. / ЦНИИТЭИтяжмаш. Вып. 4(1991) : Новые конструкции вагонов для перевозки лесных грузов в СССР и за рубежом / А.А.Лаврентьев,А.И.Логинов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Шестаков Ю.А. История рекламы : выставочные материалы / Ю. А. Шестаков, 2016. - 258 с. - Текст : непосредственный.Вестник Донского Государственного технического университета : Теоретич. и научно-практич. журн. / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону). - Журнал выходит с 1999г. - Текст : непосредственный.Коробцов А.С. Формирование профильных компетенций в инженерном образовании : монография / А. С. Коробцов, 2015. - 176 с. - Текст : непосредственный.Инструментообеспечение и современные технологии в технике и медицине : сборник научных трудов / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 1997. - 137 с. - Текст : непосредственный.Евстифеев Е.Н. Полимерные нанокомпозиционные материалы : выставочные материалы / Е. Н. Евстифеев, А. А. Кужаров, 2015. - 289 с. - Текст : непосредственный.Московский М.Н. Расчет машин и оборудования для механизации животноводческих ферм : выставочные материалы / М. Н. Московский, Д. К. Муратов, 2016. - 166 с. - Текст : непосредственный.Надежность и эффективность станочных и инструментальных систем : сборник научных трудов / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 1998. - 189 с. - Текст : непосредственный.Диагностика и управление в технических системах : сборник научных трудов / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 1998. - 188 с. - Текст : непосредственный.Безызносность : Межвуз.сб.науч.тр. / Акад.технол.наук Рос.Федерации,Южно-Рос.отд-ние,Донской гос.техн.ун-т. Вып. 5, 1998. - 195 с. - Текст : непосредственный.Термическая обработка стали : сборник / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 1998. - 130 с. - Текст : непосредственный.Козинкина А.И. Особенности акустико-эмиссионного исследования повреждений : монография / А. И. Козинкина, 2015. - 151 с. - Текст : непосредственный.Технологические основы автоматизированного производства : выставочные материалы / Ю. П. Анкудимов, В. А. Лебедев, А. А. Тихонов [и др.], 2013. - 207 с. - Текст : непосредственный.Эффективные методы решения однородных распределительных задач на основе минимаксного критерия : выставочные материалы / В. Г. Кобак, Д. В. Титов, Т. А. Медведева, О. А. Золотых, 2013. - 98 с. - Текст : непосредственный.Экономика и организация производства : выставочные материалы / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 2014. - 132 с. - Текст : непосредственный.Проблемы экологии и безопасности жизнедеятельности Ростовской области : сборник научных трудов / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 1997. - 154 с. - Текст : непосредственный.Применение новых материалов в машиностроении : сборник научных трудов / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 1997. - 136 с. - Текст : непосредственный.Управление и диагностика в динамических системах : сборник / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 1999. - 114 с. - Текст : непосредственный.Вопросы вибрационной технологии : сборник / Донской гос. технический ун-т (Ростов-на-Дону), 2005. - 101 с. - Текст : непосредственный.Денисов О.В. Гражданская защита в чрезвычайных ситуациях (в схемах и таблицах) : выставочные материалы / О. В. Денисов, Д. О. Денисов, 2015. - 166 с. - Текст : непосредственный.Белоусова А.В. Национальная экономика : выставочные материалы / А. В. Белоусова, Т. В. Жукова, 2015. - 121 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПерминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Кажева О.Н. Синтез и строение новых молекулярных проводников на основе катион-радикальных солей с анионами, содержащими ртуть и редкоземельные элементы : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / О. Н. Кажева, 2002. - 20 с. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Егоров А.Ю. Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / А. Ю. Егоров, 2011. - 40 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.Варлачев В.А. Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе / В. А. Варлачев, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный.Кремний-2004 : материалы временных коллективов / Институт геохимии им. А. П. Виноградова (Иркутск), 2004. - 244 с. - Текст : непосредственный.Обзоры по электронной технике / ЦНИИ "Электроника". Вып. 9(1506) : Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике : По дан. отеч. и зарубеж. печати за 1970-1988 гг. / К.П.Николаев,Л.И.Немировский, 1989. - 60 с. - Текст : непосредственный.Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xTe радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный.Новые магнитные материалы микроэлектроники, 2000. - 889 с. - Текст : непосредственный.Столяров С.М. Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А В с заданными свойствами : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. М. Столяров, 1998. - 15 с. - Текст : непосредственный.Воробьев В.В. Нерасходящееся излучение пучков заряженных частиц в присутствии планарных и объемных периодических структур из параллельных проводников / В. В. Воробьев, 2016. - 19 с. - Текст : непосредственный.INFOS 2007 : материалы временных коллективов / Conference on insulating films on semiconductors (15th ; 2007 ; Glyfada Athens), 2007. - XII, 1845-2439 p. - Текст : непосредственный.Усеинов А.С. Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Усеинов, 2004. - 25 с. - Текст : непосредственный.Карасева Т.В. Размерная обработка кремния и оценка технологических погрешностей : выставочные материалы / Т. В. Карасева, 2014. - 126 с. - Текст : непосредственный.Земцов А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / А. Е. Земцов, 2004. - 19 с. - Текст : непосредственный.Новоселова А.В. Термодинамика и материаловедение полупроводников / А. В. Новоселова, А. В. Новоселова, В. М. Глазов, Н. А. Смирнова ; карт. В. М. Глазов, 1992. - 391 с. - Текст : непосредственный.-V semiconductor materials and devices / Ed. R. J. Malik, 1989. - IX,727 p. p. - Текст : непосредственный. Фарид Нассур ибн Ханна.Влияние технологических примесей на оптические и электрические свойства монокристаллов Si,подвергнутых термообработке : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Фарид Нассур ибн Ханна, 1991. - 14 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыПотапов М.А. Электротехнические материалы.Полупроводниковые и магнитные материалы / М. А. Потапов, 1993. - 92 c. - Текст : непосредственный.Цырлин Г.Э. Эффекты самоорганизации наноструктур на поверхности полупроводников при молекулярно-пучковой эпитаксии : специальность 01.04.01 "Приборы и методы экспериментальной физики", 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук / Г. Э. Цырлин, 2001. - 41 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный.Хилько А.Ю. Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Ю. Хилько, 1998. - 26 с. - Текст : непосредственный.Петров П.В. Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. В. Петров, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Пигулев Р. В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов А111ВV / Р. В. Пигулев, 2007. - 21 с. - Текст : непосредственный.Муляров Е.А. Экситоны в диэлектрических наноструктурах на основе йодида свинца : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Е. А. Муляров, 1995. - 15 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Дорожкин С.И. Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. И. Дорожкин, 1993. - 16 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Ормонт М.А. Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / М. А. Ормонт, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Нарейко А.И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. И. Нарейко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Плюснин Н.И. Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла(Cr,Co) и кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Н. И. Плюснин, 2000. - 35 с. - Текст : непосредственный.Тензорезистивная структура гетерогенных материалов / С. Х. Шамирзаев, М. Х. Агзамова, Н. А. Ахмедова, 1990. - 35 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыЗаказ фрагмента документа ₽