Полное описание
Корляков, Д. Н.
ГРНТИ УДК 47.13.33 621.315.592.3(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР91-06171)
Шифр в сводном ЭК: dbb4f23d2b1e3e370f159c7e4229c731
Frey H. Ionenstrahlgestutzte Halbleitertechnologie / H. Frey, 1992. - 131 S. - Текст : непосредственный. Зятьков И.И. Моделирование технологических процессов формирования полупроводниковых структур / И. И. Зятьков, Е. П. Юрченко, 1994. - 6 c. - Текст : непосредственный. Кривошеева А.Н. Процессы жидкостного химического травления в технологии микросистем. Жидкостное химическое травление полупроводниковых материалов : выставочные материалы / А. Н. Кривошеева, В. В. Лучинин, 2012. - 118 с. - Текст : непосредственный. Трунин Д.А. Физико-технические основы систем переноса изображения на эффекте обращения волнового фронта для микроэлектронной технологии : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. А. Трунин, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Смирнова Н.А. Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. А. Смирнова, 2007. - 24 с. - Текст : непосредственный. Wissenschaftliche Berichte / FZKA. 7215 : Hochauflosende Rontgenlithografie zur Herstellung polymerer Submikrometerstrukturen mit grossem Aspektverhaltnis : Diss. / T.Mappes, S.Achenbach, J.Mohr, 2006. - IV, 71 S. - Текст : непосредственный. Молодечкина Т.В. Формирование легированных оксидов титана термолизом алкоксисоединений для компонентов электронной техники / Т. В. Молодечкина, 2004. - 21 с. - Текст : непосредственный. Рахматуллаев Х.Б. Процессы двухэлектронной локализации и делокализации на примесных атомах олова в узкозонных полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Х. Б. Рахматуллаев, 1991. - 15 с. - Текст : непосредственный. Кузнецов Г.Д. Ионно-плазменная обработка материалов : учебное пособие / Г. Д. Кузнецов, А. Р. Кушхов, 2008. - 179 с. - Текст : непосредственный. Смирнов В.А. Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ii : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / В. А. Смирнов, 2008. - 23 с. - Текст : непосредственный. Пархутик В.П. Плазменное анодирование : монография / В. П. Пархутик, В. А. Лабунов, 1990. - 280 c. - Текст : непосредственный. Бордусов С.В. Процессы и устройства СВЧ плазмохимиче ского удаления материалов при формировании изделий электронной техники : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / С. В. Бордусов, 2003. - 41 с. - Текст : непосредственный. Шипатов Э.Т. Ионно-лучевая модификация свойств металлов, сверхпроводников и пленок ферритов-гранатов : учебное пособие / Э. Т. Шипатов, 2007. - 111 с. - Текст : непосредственный. Ito H. Microlithography в· molecular imprinting / H. Ito, 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Авдиенко А.А. Физико-технические принципы построения, разработка и применение высокоэнергетичных ионных имплантеров : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн. наук / А. А. Авдиенко, 2004. - 30 c. - Текст : непосредственный. Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный. Гниденко А.А. Исследование влияния давления на поведение гелия и водорода в кристаллическом кремнии / А. А. Гниденко, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ion beam processing of advanced electronic materials : сборник научных трудов / Ed. N. W. Cheung, 1989. - XI, 401 p. 401 p. - Текст : непосредственный. Хмельницкий Р.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации / Р. А. Хмельницкий, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Дунаев А.В. Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия / А. В. Дунаев, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Перминов В.Н. Электронное строение и энергетический спектр поверхности диоксида кремния, модифицированного ионами 3d- и 4d-элементов : специальность 01.04.04 "Физическая электроника" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Н. Перминов, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный. Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный. Макута И.Д. Фотоиндуцированные процессы на поверхности сильно легированных(вырожденных) оксидов металлов и полупроводниковых гетероструктур : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.хим.наук / И. Д. Макута, 1992. - 21 с. - Текст : непосредственный. Корляков Д.Н. Физические свойства термообработанных монокристаллов кремния, легированного германием : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. Н. Корляков, 1991. - 24 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Таскин А.А. Комплексообразование в кремнии, легированном селеном : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / А. А. Таскин, 2000. - 18 с. - Текст : непосредственный. Materna R. Nachweis asymmetrischer Kopplungs-Matrizen in dotierten II-IV-Halbleitern mit Hilfe der Elektron-Kern-Doppelresonanz : Diss. / R.Materna, 1992. - 155 S. - Текст : непосредственный. Варламов А.Г. Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих Ян-Теллеровские комплексы примесных d-ионов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. Г. Варламов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный. Сягло А.И. Квазиклассическая модель равновесных электронных процессов в легированных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / А. И. Сягло, 2000. - 21 с. - Текст : непосредственный. Емец Е.Г. Оптимизация условий облучения и разработка установки для ядерного легирования кремния в реакторе ИРТ-Т : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.09.02 / Е. Г. Емец, 2016. - 21 с. - Текст : непосредственный. Хвальковский Н.А. Медленная релаксация примесного возбуждения в легированных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. А. Хвальковский, 1997. - 20 с. - Текст : непосредственный. Сосновский В.Р. Исследование комплексов, содержащих вакансию галлия в арсениде галлия, легированном теллуром или оловом : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / В. Р. Сосновский, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный. Агафонов А.И. Переходы изолятор-сверхпроводник-металл в легированных невырожденных полупроводниках : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / А.И. Агафонов, 2005. - 37 с. - Текст : непосредственный. Багаева Т.Ю. Оптические свойства радиационных поляритонов в полупроводниковых слоях с сильным экситонным резонансом : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.05 / Т. Ю. Багаева, 2008. - 19 с. - Текст : непосредственный. Петров В.В. Примесно-дефектное взаимодействие в кремнии, легированном лантаноидами, алюминием и изовалентными примесями : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук:01.04.10 / В. В. Петров, 1999. - 35 с. - Текст : непосредственный. Liefting J.R. Engineering of damage in ion implanted silicon : Diss. / J.R.Liefting, 1992. - 101 p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
