Полное описание
Андреев, В. Э.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:535.215(043)
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар06-5720)
Шифр в сводном ЭК: 899e7dc565ccd414e52cd860ed9cbf0d
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Майорова Т.Л. Люминесцентные и фотоэлектрические свойства пиролитических пленок сульфида кадмия, чистых и легированных : специальность 01.04.05 "Оптика" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Т. Л. Майорова, 2007. - 15 с. - Текст : непосредственный. Терентьев Я.В. Квантово-интерференционный резонансный фототок в полупроводниках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат.наук / Я. В. Терентьев, 1996. - 19 с. - Текст : непосредственный. Андреев В.Э. Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O) : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. Э. Андреев, 2005. - 18 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Гусейнов Э.К. Разогрев электронов излучением и поверхностные явления в узкозонных полупроводниках : Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Э. К. Гусейнов, 1990. - 37 с. - Текст : непосредственный. Мельник В.А. Влияние комбинированного возбуждения на фотопроводимость фосфида индия, компенсированного медью : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. А. Мельник, 2008. - 17 с. - Текст : непосредственный. Кожевников А.А. Влияние неравновесных состояний меди на фотопроводимость фосфида галлия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Кожевников, 2006. - 17 с. - Текст : непосредственный. Макаренко Ф.В. Особенности спектров собственной фотопроводимости в высокоомном фосфиде индия с примесями Cu и Fe : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Ф. В. Макаренко, 2008. - 17 с. - Текст : непосредственный. Исмагилова Ф.М. Особенности фотопроводимости в легированных и слабокомпенсированных кремнии и германии : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / Ф. М. Исмагилова, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный. Рудь В.Ю. Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В.Ю. Рудь, 2005. - 29 с. - Текст : непосредственный. Больных И.К. Исследование фотопроводимости и фото-ЭДС в ртутной шпинели : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.11 / И. К. Больных, 2002. - 21 с. - Текст : непосредственный. Чмырев В.И. Динамика процессов разрядки ловушечных центров в кремнии, легированном фосфором и золотом, и высокофоточувствительных фоторефрактивных соединениях со структурой силленита : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / В. И. Чмырев, 2006. - 46 с. - Текст : непосредственный. Рыльков В.В. Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении : автореф. дис. .. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. В. Рыльков, 2015. - 48 с. - Текст : непосредственный. Abel C-D. Photoelektronische Charakterisierung amorpher Halbleiter : Diss. / C-D.Abel, 1993. - 153 S. - Текст : непосредственный. Брюшинин М.А. Нестационарная фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой примесных уровней : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / М. А. Брюшинин, 2001. - 22 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
