Полное описание

Чеботарев, С. Н. Наноструктуры А^IVВ^IV и А^IIIВ^V для устройств оптоэлектроники / С. Н. Чеботарев, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова. - Ростов н/Д : Изд-во ЮНЦ РАН, 2014. - 274 с. : ил. - (Нанотехнологии и оптоэлектроника). - Библиогр.: с. 262-274 (159 назв.). - 350 экз. - ISBN 978-5-4358-0086-9. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос. акад. наук, Юж. науч. центр

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383-022.532-03

Рубрики:
Нанооптоэлектроника -- Материалы

Аннотация: Рассмотрены закономерности получения и свойства полупроводниковых низкоразмерных гетеросистем А^IV В^IV и А^IIIВ^V. Описаны ростовая аппаратура и аналитические методики исследования оптоэлектронных наноструктур. Представлены новые экспериментальные данные по ионно-лучевой кристаллизации гетероструктур с квантовыми точками для фотоэлектрических преобразователей и фотодетекторов. Проведены оригинальные расчеты фазовых диаграмм. Показано, что жидкофазная эпитаксия остается лидирующим технологическим методом получения четырех и пятикомпонентных наногетероструктур. Изучены особенности газофазной эпитаксии и исследованы функциональные характеристики выращенных лазерных диодных структур на квантовых ямах.
Доп. точки доступа:
Лунина, М.Л.
Алфимова, Д.Л.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-14/12952)

Шифр в сводном ЭК: fb4019ccc4d86f65b37e53a9f4c728c5

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽