Полное описание

Moser, M. Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern : Diss. / M.Moser. - Stuttgart, 1994. - 134 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.124-131

ГРНТИ	УДК
47.35.31	621.373.826.038.825.5.002(043)

Рубрики:
Лазеры полупроводниковые -- Производство

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/18654)

Шифр в сводном ЭК: f20e60a2c6f2e706d869a056e23fe17e

Заказать издание
Заказ фрагмента документа