Полное описание

Panish, M. B. Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphourus containing III-V heterostructures / M.B.Panish,H.Temkin. - Berlin [etc.] : Springer, 1993. - XIV,428 p. p. : ill. - (Springer series in materials science ; vol.26). - ISBN 3-540-56540-X. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.399-421.Указ.:с.423-428

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9.002

Рубрики:
Гетероструктуры -- Производство

Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОПЕРЕХОД
Доп. точки доступа:
Temkin, H.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/15692/26)

Шифр в сводном ЭК: f0c2cded4e8a327e3de43c7cb0f2b714

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽