Полное описание

Исследование многослойных светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN методами рентгеноспектрального анализа и катодолюминесценции / Я. В. Домрачева, М. В. Заморянская, Т. Б. Попова, Е. Ю. Флегонтова. - Текст : непосредственный // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования = 0207-3528. - 2009. - № 8. - С. 10-15. - Библиогр.: 6 назв.
ГРНТИ 29.31.23 + 47.09.43

Кл.слова (ненормированные): люминофоры
Аннотация: Результаты исследования многослойных светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN, выращенных методом MOCVD. Методика определения состава и глубины залегания квантовых ям InGaN и барьерных слоев AlGaN. Особенности их люминесценции при различной глубине многослойной светодиодной структуры.
Доп. точки доступа:
Домрачева, Я.В.
Заморянская, М.В.
Попова, Т.Б.
Флегонтова, Е.Ю.


Нет сведений об экземплярах
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -394840-010270)

Шифр в сводном ЭК: dd2d81a88586737c34041f26bb5269ad

Заказать издание
Заказ фрагмента документа