Полное описание

Karthaus, E. Kristallwachstum von GeSi-Legierungen beim Bridgman-Verfahren : Diss. / E.Karthaus. - J@:ulich, 1991. - 151 S. : Ill. - (Berichte / Kernforschungsanlage(Julich) ; N2418). - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.95-100
Перевод заглавия: Рост кристаллов сплавов GeSi по методу Бриджмена:Дис.

ГРНТИ	УДК
31.17.15	546.289'281:542.65

Рубрики:
Германий, соединения -- Кристаллизация

Кл.слова (ненормированные): ГЕРМАНИЙ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/2657/2418)

Шифр в сводном ЭК: d7e58f4167cb0e63e29b07c61b747bed

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽