Полное описание
> High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed. H. Huff, D. Gilmer ; ed. H. Huff. - Berlin ; Heidelberg : Springer, 2005. - on-line. - (Springer series in advanced microelectronics ; 16). - URL: http://dx.doi.org/10.1007/b137574. - ISBN 978-3-540-26462-0. - Текст : электронный.
ГРНТИ | УДК | |
47.09.31 | 621.382.323-03 |
Кл.слова (ненормированные): ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Доп. точки доступа:
Huff, H.\ed.\
SpringerLink (Online service)
http://dx.doi.org/10.1007/b137574
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): 621.382.323-03/H65-321553)>
Шифр в сводном ЭК: d7bab0d9dd2b0fea2361ace383bf25e1
Просмотр издания