Полное описание

Серегина, Е. В. Использование проекционного метода для математического моделирования стохастического распределения неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.13.18 / Е. В. Серегина. - 2014. - 20 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-16 (19 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.01.77	537.311.322(043)

Кл.слова (ненормированные): ДИФФУЗИЯ ННЗ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ -- СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар14-15409)

Шифр в сводном ЭК: d5f2dd617c76bd1fec92672a76a6ab35

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽