Полное описание

Мейер, Д. Ионное легирование полупроводников (кремний и германий) / Д. Мейер, Л. Эриксон, Д. Дэвис; пер. с англ. под ред. В. М. Гусева. - М. : Мир, 1973. - 296 с. : ил. - Загл. обл. : Ионное легирование полупроводников. - Библиогр.: с. 288-296 (335 назв.). - Пер. изд. : Ion implantation in semiconductors. Silicon and Germanium / J. Mayer, L. Eriksson, J. Davis. - NY, 1970. - Тираж не указ. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.13.33	621.315.592:669.046.516

Рубрики:
Полупроводники -- Ионное внедрение

Доп. точки доступа:
Эриксон, Л.
Дэвис, Д.
Гусев, В.М.\ред.\
Mayer, J.
Eriksson, L.
Davis, J.

Полный текст

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д4/6420)

Шифр в сводном ЭК: d09c9cbafa34ddb0ba38add46d5701c7

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽

Просмотр издания