Полное описание
> Селезнев, В. А. Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур: нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. А. Селезнев. - Новосибирск, 1999. - 20 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 19-20
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР99-7465)>
Шифр в сводном ЭК: cf7fc62698bb7c75d87c200aa54a99a6
Заказ фрагмента документа ₽