Полное описание
> Kawanami, H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H. Kawanami. - Tokyo : [s. n.], 1991. - 87 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n922). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.78-87
Перевод заглавия: Изучение начальных стадий молекулярно-пучкового эпитаксиального роста пленок полупроводников III-V групп на кремнии
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:539.23 |
Рубрики:
Полупроводниковые пленки -- Производство
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/1872/922)>
Шифр в сводном ЭК: ccecf39978de9c4736e7041f1b4d82e4
Заказ фрагмента документа ₽