Полное описание

Сысоев, И. А. Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография / Сысоев И. А. - Ставрополь : Северо-Кавказский федеральный университет, 2015. - 97 с. - URL: https://www.iprbookshop.ru/62929.html (дата обращения: 11.04.2023) . - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - ISBN 978-5-9296-0785-1. - Текст : электронный.
Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

	УДК
	539.21

	ББК
	22.36

Кл.слова (ненормированные): ГАЗОВАЯ ФАЗА -- ГРАДИЕНТНАЯ ЭПИТАКСИЯ -- МАССОПЕРЕНОС -- МИКРОСТРУКТУРА -- МНОГОКОМПОНЕНТНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- НАНОСТРУКТУРА -- СВОЙСТВО ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ТВЕРДЫЙ РАСТВОР -- ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ -- ТОНКАЯ ЗОНА
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
Доп. точки доступа:
Лунин, Л. С.

Перейти к просмотру издания

Держатели документа:
Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : 143405, Московская область, г. Красногорск, ш. Ильинское, д. 1А, помещ. 17,6/ком. 5 (Шифр в БД-источнике (IPRBOOKS): 62929)

Шифр в сводном ЭК: bf81b311dd21ab897841a44a066d9b7d

Просмотр издания ЭБС IPR SMART