Полное описание
> Технология материалов микро- и наноэлектроники / Л. В. Кожитов, С. Г. Емельянов, В. Г. Косушкин [и др.] ; Юго-Западный гос. ун-т (Курск). - 2-е изд., перераб. и испр. - Курск : Юго-Зап. гос. ун-т, 2012. - 861 с. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр. в конце глав. - 2000 экз. - ISBN 978-5-7681-0760-4. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.09 | 621.3.049.76-03 | |
621.384-022.532-03 |
Рубрики:
Микроэлектронные приборы -- Материалы
Наноэлектронные устройства -- Материалы
Аннотация: Приведены теоретические основы и математические модели процессов выращивания монокристаллов полупроводников из расплава. Рассмотрены основы эпитаксиального роста плёнок полупроводников и оборудование для их производства, а также процессы плазмохимических технологий и высокоэнергетичных воздействий получения материалов для электроники. Изложены основные методы получения современных нанокомпозитных материалов на основе углерода, проанализированы основные модели процессов, определены перспективы развития технологий.
Доп. точки доступа:
Кожитов, Л.В.
Емельянов, С.Г.
Косушкин, В.Г.
Стрельченко, С.С.
Пархоменко, Ю.Н.
Юго-Западный гос. ун-т (Курск)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д9-12/96703)>
Шифр в сводном ЭК: bae3b1c62bc4da809661d85a36a52166
Заказ фрагмента документа ₽