Полное описание

Okumura, H. Study on the materials properties of semiconductor heterostructures qrown by molecular beam epitaxy / H.Okumura. - Tsukuba : [s. n.], 1990. - 120 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n911). - Текст : непосредственный.
Текст яп. Рез.англ.Библиогр.в конце ст
Перевод заглавия: Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур,выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9

Рубрики:
Гетеропереходы

Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОПЕРЕХОД
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/1872/911)

Шифр в сводном ЭК: b9a959314fc6af95223fd9b3ca561406

Заказать издание
Заказ фрагмента документа