Полное описание

Ogut, S. Ab initio investigation of point defects in bulk Si and Ge using a cluster method / S.Ogut,J.R.Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2001. - 11 l. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2001/165). - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце кн.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:548.4

Рубрики:
Кремний -- Кристаллы -- Дефекты
Германий -- Кристаллы -- Дефекты

Кл.слова (ненормированные): ГЕРМАНИЯ -- КРЕМНИЙ
Доп. точки доступа:
Chelikowsky, J.R.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17401/2001/165)

Шифр в сводном ЭК: ac91d3fe8fdd8ef93b374d535329466c

Заказать издание
Заказ фрагмента документа