Полное описание
> Abe, M. Semiconductor heterostructure devices / M.Abe,N.Yokoyama. - New York, NY [etc.] : Gordon a. Breach, 1989. - XII,96 p. p. : ill. - (Japanese technology reviews, ISSN 0898-5693 ; n8). - ISBN 2-88124-338-X. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце ст. Указ.: с.91-96
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382 |
Рубрики:
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Yokoyama, N.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Q/5542/8)>
Шифр в сводном ЭК: a4adce68f31133e826c792461c413e70
Заказ фрагмента документа ₽