Полное описание

Карфул Ризек. Поведение глубоких центров в Ga As при лазерном облучении барьеров Шоттки : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.10 / Карфул Ризек. - СПб, 1992. - 16 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Санкт-Петербург.гос.техн.ун-т. Библиогр.: с. 15-16(2назв.).

ГРНТИ	УДК
47.29	621.382.2.018.756(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР92-3578)

Шифр в сводном ЭК: a322f9cb0e593375aeccfcd00516b059

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽