• ВХОД

    •  

    Полное описание

    W8956/2009, Vol. 86, iss. 3
     International symposium on advanced gate stack technology (4th ; 2007 ; Dallas, Tx). Including selected papers from the fourth IEEE International symposium on advanced gate stack technology held in Dallas, Texas, USA in 2007 / International symposium on advanced gate stack technology (4th ; 2007 ; Dallas, Tx) ; ed. H.-H. Tseng [et al.]. - Amsterdam : Elsevier, 2009. - 207-433 p. : ill. - (Microelectronic engineering, ISSN 0167-9317 ; 2009, Vol. 86, iss. 3). - Библиогр. в конце ст. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.032.27(063)

    Рубрики:
    Электроды полупроводниковых приборов -- Съезды и конференции

    Доп. точки доступа:
    Tseng, H.-H.\ed.\
    Экз-ры полностью W8956/2009, Vol. 86, iss. 3
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ЧЗ (1)
    Свободны: ЧЗ (1)